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ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

YAH|15

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

5.5.3 電池保護(hù)（CHG、DSG）

保護(hù)硬件電路在自然通風(fēng)條件下的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行（除非另有說(shuō)明）

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
N 溝道 FET 驅(qū)動(dòng)器，CHG 和 DSG
V_DRIVER	柵極驅(qū)動(dòng)器電壓，V_CHG 或 V_DSG	C_LOAD = 8nF		2 × VDD		V
A_FETON	FET 驅(qū)動(dòng)器增益系數(shù)，連接至 FET 的 Vgs 電壓	A_FETON = (V_driver – VDD)/VDD，C_LOAD = 8nF，UVP < VDD < 3.8V	0.9	1.0	1.2	V/V
V_DSGOFF	DSG FET 驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷輸出電壓	V_DSGOFF = V_DSG – PACK，C_L= 8nF			0.2	V
V_CHGOFF	CHG FET 驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷輸出電壓	V_CHGOFF = V_CHG – VSS，C_L= 8nF			0.2	V
t_rise	FET 驅(qū)動(dòng)器上升時(shí)間 ⁽¹⁾	C_L = 8nF，(Vdriver – VDD)/VDD = 1 x V_FETON 從 VDD 變?yōu)?2 × VDD		400	800	us
t_fall	FET 驅(qū)動(dòng)器下降時(shí)間⁽¹⁾	CL = 8nF，V_FETON 從 V_FETMAX 變?yōu)?V_FETOFF		50	200	us
V_{FET_SHUT}	固件 FET 驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷電壓⁽²⁾⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	2100	5000	mV
V_{FET_SHUT_REL}	固件 FET 驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷釋放⁽²⁾⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	2300	5000	mV
I_LOAD	FET 驅(qū)動(dòng)器最大負(fù)載				10	uA
電壓保護(hù)
V_OVP	硬件過(guò)壓保護(hù) (OVP) 檢測(cè)范圍⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 50mV	3500		5000	mV
V_OVP	出廠默認(rèn)修整閾值⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 50mV		4525		mV
V_{OVP_ACC}	硬件 OVP 檢測(cè)精度⁽³⁾	TA = 25°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1μA	-15		15	mV
		TA = 0°C 至 60°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1μA	-25		25	mV
		TA = –40°C 至 85°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1μA	-50		50	mV
V_{FW_OVP}	固件 OVP 檢測(cè)范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	4490	5000	mV
V_{FW_OVP_REL}	固件 OVP 釋放范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	4290	5000	mV
V_UVP	硬件欠壓 (UVP) 檢測(cè)范圍⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 50mV	2000		4000	mV
V_UVP	出廠默認(rèn)修整閾值⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 50mV		2300		mV
V_{UVP_ACC}	硬件 UVP 檢測(cè)精度⁽³⁾	TA = 25°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1μA	-20		20	mV
		TA = 0°C 至 60°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1uA	-30		30	mV
		TA = –40°C 至 85°C，充放電時(shí)的 C_LOAD < 1uA	-50		50	mV
V_{FW_UVP}	固件 UVP 檢測(cè)范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	2500	5000
V_{FW_UVP_REL}	固件 UVP 釋放范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mV	2000	2900	5000	mV
R_PACK-VSS	PACK 和 VSS 之間的電阻	僅限關(guān)斷模式	100	300	550	kΩ
V_RCP	反向充電保護(hù)限制	–10V 持續(xù)工作電壓，絕對(duì)最大值 –12V	-10			V
電流保護(hù)
V_OCC	充電過(guò)流 (OCC) 的檢測(cè)電壓閾值范圍⁽³⁾⁽⁴⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV	4		100	mV
V_OCC	出廠默認(rèn)修整閾值⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV		14		mV
V_OCC	OCC 2mV 步長(zhǎng)設(shè)計(jì)選項(xiàng)	2mV 步長(zhǎng)配置選項(xiàng)	2		256	mV
I_OCC	有效 OCC 電流閾值范圍（相對(duì)于 V_OCC）⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想 R_SNS = 1m?	4	14	100	A
		理想 R_SNS = 2m?	2	7	50
		理想 R_SNS = 5m?	0.8	2.8	20
I_{FW_OCC}	固件 OCC 檢測(cè)范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mA	0	12000	+I_{CC_IN}	mA
V_OCD	放電過(guò)流 (OCD) 的檢測(cè)電壓閾值范圍⁽³⁾⁽⁴⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV	-4		-100	mV
V_OCD	出廠默認(rèn)修整閾值⁽³⁾	建議的閾值范圍。經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV		-16		mV
V_OCD	OCD 2mV 步長(zhǎng)設(shè)計(jì)選項(xiàng)	±2mV 步長(zhǎng)配置選項(xiàng)	-2		-256	mV
I_OCD	有效 OCD 電流閾值范圍（相對(duì)于 V_OCD）⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想 R_SNS = 1m?	-4	-16	-100	A
		理想 R_SNS = 2m?	-2	-8	-50
		理想 R_SNS = 5m?	-0.8	-3.2	-20
I_{FW_OCD}	固件 OCD 檢測(cè)范圍⁽⁴⁾	可配置，步長(zhǎng)為 1mA	–I_{CC_IN}	-7000	₀	mA
V_SCD	放電短路電流 (SCD) 的檢測(cè)電壓閾值范圍⁽³⁾⁽⁴⁾	閾值經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV	-5		-120	mV
V_SCD	出廠默認(rèn)修整閾值⁽³⁾	閾值經(jīng)過(guò)出廠修整，步長(zhǎng)為 1mV		-20		mV
I_SCD	有效 SCD 電流閾值范圍（相對(duì)于 V_SCD）⁽¹⁾⁽⁴⁾	理想 R_SNS = 1m?	-5	-20	-120	A
		理想 R_SNS = 2m?	-2.5	-10	-60
		理想 R_SNS = 5m?	-1	-4	-24
V_{OC_ACC}	過(guò)流（OCC、OCD、SCD）檢測(cè)精度⁽³⁾	<20mV，TA = –25°C 至 60°C	-2.1		2.1	mV
		<20mV	-2.1		2.1
		20mV–55mV	-3		3
		56mV–100mV	-5		5
		>100mV	-12		12
I_PACK-VDD	電流故障期間 PACK 和 VDD 之間的灌電流	固件中的負(fù)載移除檢測(cè)		15		μA
V_{OC_REL}	OCC 故障釋放閾值	(V_PACK – V_BAT)		100		mV
V_{OC_REL}	OCD、SCD 故障釋放閾值	(V_PACK – V_BAT)		-400		mV
過(guò)熱保護(hù)
T_{OTC_TRIP}	OTC 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾	基于固件并可配置，步長(zhǎng)為 0.1°C	-40.0	55.0	150.0	°C
T_{OTC_REL}	OTC 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	50.0	150.0	°C
T_{OTD_TRIP}	OTD 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	60.0	150.0	°C
T_{OTD_REL}	OTD 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	55.0	150.0	°C
T_{UTC_TRIP}	UTC 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	0.0	150.0	°C
T_{UTC_REL}	UTC 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	5.0	150.0	°C
T_{UTD_TRIP}	UTD 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	0.0	150.0	°C
T_{UTD_REL}	UTD 跳變/釋放閾值⁽²⁾⁽⁴⁾		-40.0	5.0	150.0	°C
保護(hù)延遲⁽¹⁾
t_OVP	OVP 檢測(cè)延遲（去抖）選項(xiàng)⁽¹⁾⁽⁴⁾	支持 4095 種延遲選項(xiàng)配置，步長(zhǎng)為 1.953ms。出廠默認(rèn)值 = 1000ms（512 個(gè)計(jì)數(shù)）典型值	1.953	1000	7998	ms
t_UVP	UVP 檢測(cè)延遲（去抖）選項(xiàng)⁽¹⁾⁽⁴⁾	支持 127 種延遲選項(xiàng)配置，步長(zhǎng)為 1.953ms。出廠默認(rèn)值 = 127ms（65 個(gè)計(jì)數(shù)）典型值	1.953	127	248	ms
t_OCC	OCC 檢測(cè)延遲（去抖）選項(xiàng)⁽¹⁾⁽⁴⁾	支持 31 種延遲選項(xiàng)配置，步長(zhǎng)為 1.953ms。出廠默認(rèn)值 = 7.8ms（4 個(gè)計(jì)數(shù)）典型值	1.953	7.8	60.5	ms
t_OCD	OCD 檢測(cè)延遲（去抖）選項(xiàng)⁽¹⁾⁽⁴⁾	支持 255 種延遲選項(xiàng)配置，步長(zhǎng)為 0.244ms。出廠默認(rèn)值 = 15.9ms（65 個(gè)計(jì)數(shù)）典型值	0.244	15.9	62.3	ms
t_SCD	SCD 檢測(cè)延遲（去抖）選項(xiàng)⁽¹⁾⁽⁴⁾	支持七種延遲選項(xiàng)配置，步長(zhǎng)為 122μs。出廠默認(rèn)值 = 244μs（2 個(gè)計(jì)數(shù)）典型值	122	244	854	μs
T_{OTC_DLY}	OTC 跳變延遲⁽²⁾⁽⁴⁾	基于固件并可配置，步長(zhǎng)為 1s。典型值為數(shù)據(jù)閃存出廠默認(rèn)值。	0	2	255	s
T_{OTD_DLY}	OTD 跳變延遲⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
T_{UTC_DLY}	UTC 跳變延遲⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
T_{UTD_DLY}	UTD 跳變延遲⁽²⁾⁽⁴⁾		0	2	255	s
零伏（低壓）充電
V_0CHGR	啟動(dòng)零伏充電所需的充電器電壓	V_0CHGR = V_PACK – VSS	1.6			V

(1) 根據(jù)設(shè)計(jì)確定。未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試。

(2) 基于固件的參數(shù)。未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試。

(3) 精度由出廠修整在指定的默認(rèn)閾值下確保。如果更改默認(rèn)閾值，則需要現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行器件校準(zhǔn)。請(qǐng)參閱 BQ27Z746R1 和 BQ27Z758 技術(shù)參考手冊(cè)。

(4) 指定的典型值為出廠默認(rèn)值。未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試?？梢栽?FULL ACCESS 模式下更改數(shù)據(jù)閃存配置值并將其鎖定在 SEALED 模式。請(qǐng)參閱 BQ27Z746R1 和 BQ27Z758 技術(shù)參考手冊(cè)。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

5.5.3 電池保護(hù)（CHG、DSG）

5.5.3 電池保護(hù)（CHG、DSG）