ZHCSXI2 November 2024 BQ25188
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
如果 VIN 降至低于睡眠模式進(jìn)入閾值且 VIN 高于欠壓鎖定閾值,器件將進(jìn)入低功耗睡眠模式。在睡眠模式下,輸入與電池隔離。這個(gè)特性防止缺少 VIN期間的電池消耗。當(dāng) VIN < VBAT + VSLEEP 時(shí),器件會(huì)導(dǎo)通電池放電 FET,在 INT 輸出端發(fā)送脈沖,并通過(guò) I2C 更新寄存器的 VIN_PGOOD_STAT 位。一旦 VIN > VBAT + VSLEEP 且 VIN 超過(guò) VINDPM 閾值,器件會(huì)啟動(dòng)新的充電周期。