ZHCSXI2 November 2024 BQ25188
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷電容器是輸入去耦電容器的理想選擇，應(yīng)盡可能靠近 IC 的電源引腳和接地引腳放置。由于電容器的電壓降額，建議在 IN 引腳使用額定電壓為 35V 的電容器。由于直流偏置降額，較高的 IN 電壓可能會(huì)導(dǎo)致有效電容顯著降低。為了確保輸出穩(wěn)定性，降額后的最小電容必須高于 1μF，以使輸入電壓正常工作。
為了盡可能降低由于接地板線路上的 IR 壓降而導(dǎo)致的 TS 測(cè)量誤差，NTC 的接地連接必須盡可能靠近器件的 GND 引腳或與其連接的開爾文檢測(cè)點(diǎn)。
如果系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員不希望使用 TS 功能進(jìn)行充電控制，則必須在 TS 與地之間連接一個(gè) 10kΩ 電阻。
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參數(shù) |
最小值 |
標(biāo)稱值 |
最大值 |
單位 |
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|---|---|---|---|---|---|
|
CSYS |
SYS 引腳上的電容 |
1 |
10 |
100 |
μF |
|
CBAT |
BAT 引腳上的電容 |
1 |
1 |
- |
μF |
|
CIN |
IN 輸入旁路電容（直流偏置降額后） |
1 |
1 |
10 |
μF |