ZHCSXI2 November 2024 BQ25188
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
當(dāng)器件 CV 環(huán)路在快速充電運(yùn)行中變得比 CC 環(huán)路更占主導(dǎo)地位時,充電電流將逐漸變小并接近 ITERM 閾值。可以通過 I2C 事務(wù)寫入 ITERM_0 位來設(shè)置。
| ITERM_0 | 終止閾值 |
|---|---|
| 0b00 | 禁用 |
| 0b01 | ICHG 的 5% |
| 0b10 | ICHG 的 10% |
| 0b11 | ICHG 的 20% |
一旦在 CV 階段達(dá)到 ITERM 閾值,器件會通過禁用 BATFET(從 SYS 斷開電池)來自動終止充電電流,從而進(jìn)入高阻抗模式。如果 VINDPM、DPPM 或熱調(diào)節(jié)環(huán)路(其會在 CV 環(huán)路逐漸降低充電電流時影響充電電流),則不會發(fā)生終止。由于有功電流會影響調(diào)節(jié)環(huán)路和 CV,充電電流將繼續(xù)逐漸減小,但器件不會終止充電電流。
僅當(dāng) CV 環(huán)路在沒有任何其他可能進(jìn)一步降低充電電流的調(diào)節(jié)環(huán)路的情況下運(yùn)行時,才會發(fā)生終止。終止后,將會禁用電池 FET,并且器件會監(jiān)控 BAT 引腳電壓。如果 BAT 引腳電壓下降到低于電池調(diào)節(jié)電壓 (VBATREG) 的充電閾值 (VRCH),則會啟動新的充電周期并重置安全計時器。
在充電期間,甚至充電結(jié)束時,會通過補(bǔ)充操作來支持更高的 SYS 負(fù)載。