ZHCSPP4B June 2022 – February 2025 ADC12QJ1600-SP
PRODUCTION DATA
表 6-52 列出了可修整的參數(shù)以及相關(guān)的寄存器。
| 修整參數(shù) | 修整寄存器 | 注釋 |
|---|---|---|
| 帶隙基準 | BG_TRIM | BG 輸出引腳上的測量值。 |
| 輸入終端電阻 | RTrim_x， 其中 x = A 表示 INA±，B 表示 INB±，以此類推。 | 器件上電時必須使用時鐘。 |
| 輸入失調(diào)電壓 | OFSxy， 其中 x = ADC 內(nèi)核（0、1、2、3、4 或 5）， y = A 表示 INA±，B 表示 INB±，以此類推，或省略（對于 ADC 內(nèi)核 0、1、4 和 5） | 每個 ADC 內(nèi)核（0、1、2、3、4 或 5）都允許使用不同的修整值，以便在后臺校準模式下實現(xiàn)更一致的偏移性能。在 CAL_BG = 1 時使用 CAL_OS，可從這些寄存器中獲取修整值。 |
| 模擬輸入增益 | GAINxy， 其中 x = ADC 內(nèi)核（0、1、2、3、4 或 5）， y = A 表示 INA±，B 表示 INB±，以此類推，或省略（對于 ADC 內(nèi)核 0、1、4 和 5） | 使用此修整可匹配每個 ADC 內(nèi)核的增益。這些寄存器不受校準過程影響。 |
| 滿量程輸入電壓 | FS_RANGE | 適用于所有輸入的滿量程輸入電壓調(diào)節(jié)。使用 GAINxy 可匹配每個輸入的增益。 |