可提供此產(chǎn)品的更新版本
功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
功能與比較器件相同,且具有相同引腳
UCC27322-Q1
- 符合汽車應(yīng)用要求
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果:
- 器件溫度等級(jí) 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
- 業(yè)界通用引腳排列,額外具有使能功能
- 使用 TrueDrive? 技術(shù)在米勒平坦區(qū)域提供 ±9A 的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力
- 使用獨(dú)特的雙極和 CMOS 輸出級(jí)的高效恒流源
- 與電源電壓無(wú)關(guān)的 TTL 和 CMOS 兼容輸入
- 10nF 負(fù)載時(shí)的上升時(shí)間和下降時(shí)間典型值分別為 20ns 和 15ns
- 輸入下降和上升時(shí)的典型傳播延遲時(shí)間分別為 25ns 和 35ns
- 4V 至 15V 電源電壓
- 采用熱增強(qiáng)型 MSOP PowerPAD? 封裝
- 并聯(lián)雙極和 CMOS 晶體管的 TrueDrive 輸出架構(gòu)
UCC2732x-Q1 系列高速驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界通用引腳排列中提供 9A 峰值驅(qū)動(dòng)電流。這些驅(qū)動(dòng)器可以為由于高 dV/dt 轉(zhuǎn)換而需要極端米勒電流的系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)較大的 MOSFET。這樣無(wú)需額外的外部電路,并且可以替換多個(gè)元件,以減少空間,降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性和組裝成本。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):反相 (UCC27321-Q1) 和同相 (UCC27322-Q1)。
通過(guò)使用能夠更大限度減少擊穿電流的設(shè)計(jì),這些器件的輸出可以在 MOSFET 開關(guān)切換期間,在米勒平坦區(qū)域最需要的地方提供高柵極驅(qū)動(dòng)電流。獨(dú)特的混合輸出級(jí)并聯(lián)雙極和 MOSFET 晶體管 (TrueDrive),可在低電源電壓下高效輸送電流。通過(guò)此驅(qū)動(dòng)架構(gòu),UCC2732x-Q1 可用于業(yè)界通用 6A、9A 和許多 12A 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。還包括閂鎖和 ESD 保護(hù)電路。最后,UCC2732x-Q1 提供了使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的運(yùn)行。ENBL 在引腳 3 上實(shí)現(xiàn),該引腳之前在業(yè)界通用引腳排列中未使用。該引腳內(nèi)部上拉至 VDD 電源以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯運(yùn)行,并且可保持?jǐn)嚅_連接狀態(tài)以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行。
除了 8 引腳 SOIC (D) 封裝產(chǎn)品外,UCC2732x-Q1 還采用熱增強(qiáng)型微型 8 引腳 MSOP-PowerPAD (DGN) 封裝。PowerPAD 封裝大幅降低了熱阻,從而擴(kuò)大了工作溫度范圍并提高了長(zhǎng)期可靠性。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | UCC2732x-Q1 具有使能端的單通道 9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2023年 12月 5日 |
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | 適用于柵極驅(qū)動(dòng)器的外部柵極電阻器設(shè)計(jì)指南 (Rev. A) | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 更多文獻(xiàn)資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理 | 最新英語(yǔ)版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| EVM 用戶指南 | UCC2732xQ1EVM (MSA020A) User’s Guide | 2016年 3月 6日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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UCC27321Q1EVM — 具有使能端的 UCC27321-Q1 汽車通道 9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
UCC2732X-Q1 是一個(gè)高速驅(qū)動(dòng)器系列,這些高速驅(qū)動(dòng)器能夠提供高達(dá) 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流,可針對(duì)因高 dv/dt 轉(zhuǎn)換而需要極端米勒電流的系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化。EVM 可以評(píng)估所提供的兩個(gè)邏輯選項(xiàng)(反相(UCC27321-Q1)和同相(UCC27322-Q1))。? UCC27322-Q1 具有使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的運(yùn)行,為方便起見,已將此功能在 EVM 上進(jìn)行了細(xì)分。此驅(qū)動(dòng)器系列可用作低功耗控制器(分立式控制器、DSP、MCU 或微處理器)和功率 MOSFET 之間的接口。
UCC27322Q1EVM — 具有使能端的 UCC27322-Q1 汽車通道 9A 高速低側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
UCC2732X-Q1 是一個(gè)高速驅(qū)動(dòng)器系列,這些高速驅(qū)動(dòng)器能夠提供高達(dá) 9A 的峰值驅(qū)動(dòng)電流,可針對(duì)因高 dv/dt 轉(zhuǎn)換而需要極端米勒電流的系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化。EVM 可以評(píng)估所提供的兩個(gè)邏輯選項(xiàng)(反相(UCC27321-Q1)和同相(UCC27322-Q1))。? UCC27321-Q1 具有使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的運(yùn)行,為方便起見,已將此功能在 EVM 上進(jìn)行了細(xì)分。此驅(qū)動(dòng)器系列可用作低功耗控制器(分立式控制器、DSP、MCU 或微處理器)和功率 MOSFET 之間的接口。
SLURB26 — UCC2732X and UCC3732X Schematic Review Template
支持的產(chǎn)品和硬件
產(chǎn)品
低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具
借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù),您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開發(fā)成本。?
在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
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- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
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- 封裝廠地點(diǎn)
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