ZHCUB63 july 2023 TPS65219 , TPS6521905 , TPS6521905-Q1

3 典型 NVM 流程

本節(jié)介紹了典型的 NVM 定義流程，其中包括以下步驟：系統(tǒng)要求、硬件設(shè)置、NVM 編程和測(cè)試/驗(yàn)證。

系統(tǒng)要求
確定系統(tǒng)要求并構(gòu)建配電網(wǎng)絡(luò) (PDN)。電壓/電流、上電/下電序列、低功耗模式和負(fù)載瞬態(tài)是處理器、SoC 和外設(shè)的典型要求。
硬件設(shè)置
TPS65219 可使用 PMIC 插槽式 EVM、客戶原型板（電路內(nèi)編程）或生產(chǎn)線進(jìn)行編程。
- 插槽式 EVM：PMIC 插槽式 EVM 附帶板載 MSP340，后者可通過 I2C 與 PMIC 通信，以對(duì) NVM 存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程。此硬件還集成了一個(gè)分立式 3.3V LDO，當(dāng) PMIC 電源軌在初始化狀態(tài)下關(guān)斷時(shí)，該 LDO 可以為 I2C 上拉電阻供電。
  圖 3-1 插槽式 EVM
- 原型板：默認(rèn)情況下，用戶可編程的 TPS6521905 NVM 附帶的所有電源資源均處于非活動(dòng)狀態(tài)，并且 EN/PB/VSENSE 引腳配置為“Push-Button”，F(xiàn)SD 處于禁用狀態(tài) (PU_ON_FSD = 0x0)。如果此引腳上拉至 VSYS，當(dāng)有效電源連接到 VSYS 時(shí)，PMIC 會(huì)保持關(guān)閉狀態(tài)（初始化狀態(tài)）。此配置允許在執(zhí)行上電序列之前重新對(duì) NVM 進(jìn)行編程。圖 3-2 展示了客戶需要在原型板中包含哪些內(nèi)容來重新對(duì) PMIC NVM 進(jìn)行編程。所需的元件包括 GND、SCL、SDA 上的三個(gè)測(cè)試點(diǎn)，以及一個(gè) 1x3 單排接頭連接器，該連接器會(huì)在外部 3.3V 和 PMIC 電源軌（在正常應(yīng)用中為 I2C 引腳供電）之間選擇上拉電源。USB2ANY（可在 TI.com 上獲?。┛捎糜谂c PMIC 通信并對(duì) NVM 設(shè)置重新編程。
  圖 3-2 原型示例
  注：有關(guān)推薦的外部元件（如電感器、輸出電容等），請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表中的“規(guī)格”和“詳細(xì)設(shè)計(jì)過程”部分。
- 生產(chǎn)線：在將器件焊接到最終 PCB 之前，還可以根據(jù)圖 2-1 在生產(chǎn)線中重新對(duì) PMIC NVM 進(jìn)行編程。
NVM 編程
按照節(jié) 4中的編程說明更改寄存器設(shè)置，并將新值保存到 NVM 存儲(chǔ)器中。TPS65219-GUI 可與插座式 EVM（或原型板加外部 USB2ANY）配合使用?；蛘?，客戶可以使用他們首選的 I2C 調(diào)試器工具，在不使用 TPS65219-GUI 的情況下寫入每個(gè) NVM 寄存器。重新對(duì) NVM 進(jìn)行編程后，建議執(zhí)行下電上電以確認(rèn)新的寄存器設(shè)置是否已保存到 NVM 存儲(chǔ)器中。

圖 3-3 TPS65219-GUI
NVM 測(cè)試
必須測(cè)試 NVM 設(shè)置以確認(rèn)預(yù)期的 PMIC 行為。下面的列表顯示了建議的最低測(cè)試。這些測(cè)試可以在插座式 EVM 或原型板上執(zhí)行。如果使用插座式 EVM 對(duì) PMIC 重新編程，則可以將器件焊接到客戶原型板中，以測(cè)試和驗(yàn)證系統(tǒng)級(jí)功能?；蛘?，可以替換焊接在 TPS65219EVM 上的 PMIC，以測(cè)試定制 NVM 配置。
- 測(cè)量所有輸出電壓
- 為上電序列收集示波器波形（包括 GPIO [若已啟用]和 nRSTOUT）
- 為下電序列收集示波器波形（包括 GPIO [若已啟用]和 nRSTOUT）
- 測(cè)試 EN/PB/VSENSE 引腳功能和極性以觸發(fā) ON 和 OFF 請(qǐng)求。
- 測(cè)試每個(gè)多功能引腳（VSEL、MODE/STBY、MODE/RESET）的配置和極性。將此引腳拉至高電平或低電平，并根據(jù)配置的引腳功能驗(yàn)證 PMIC 行為是否發(fā)生變化。
注：該插槽式 EVM 可用于重新編程和基本測(cè)試（例如：測(cè)量輸出電壓以及收集上電序列波形等），但不得用于測(cè)試負(fù)載瞬態(tài)和效率等特定性能參數(shù)，因?yàn)椴遄鶑椈舍樅筒季址胖脮?huì)引入不代表應(yīng)用設(shè)計(jì)的更高寄生效應(yīng)。