1 引言

從目前來看，由于閃存編程和擦除需要高壓電路，在同一裸片上嵌入閃存的傳統(tǒng) MCU（如圖 1-1 所示）無法超越 22nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。基于閃存的工藝也成本高昂，因?yàn)槭褂蒙顏單⒚准?jí)數(shù)字 CMOS 技術(shù)在 MCU/SOC 裸片上集成嵌入式閃存需要大量掩模。因此，這些 MCU 只適用于較舊的工藝節(jié)點(diǎn)（例如 28nm、40nm、65nm……）。

此外，還出現(xiàn)了其他新的 NVM 技術(shù)，如 MRAM、RRAM 等，但即使是這些技術(shù)也還不能滿足汽車等高可靠性應(yīng)用的需要。

高性能 MCU（如高性能 MCU 所示）使用外部閃存存儲(chǔ)器器件，通常會(huì)在啟動(dòng)期間將整個(gè)映像下載到 SRAM。根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用的處理性能需求和功耗需求，這些 MCU 適用于未搭載閃存技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn)（例如，低至 3nm/5nm 的較新工藝節(jié)點(diǎn)或 45nm 等定制節(jié)點(diǎn)）。此外，由于只采用閃存的工藝節(jié)點(diǎn)，使用單獨(dú)閃存器件的成本會(huì)更低。這些 MCU 的最常見缺點(diǎn)是 SRAM 大小較大（不低于應(yīng)用軟件映像大?。┖鸵龑?dǎo)/啟動(dòng)時(shí)間較長(zhǎng)，因此成本也較高。