ZHCAEL4 October 2024 AM263P2-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1
5 基準(zhǔn)測試和性能數(shù)據(jù)
我們已經(jīng)運(yùn)行了應(yīng)用程序基準(zhǔn)測試來測量在啟用各種 OptiFlash 元件的情況下通過外部閃存執(zhí)行時(shí)的 XIP 性能。
圖 5-1 基準(zhǔn)測試
用于對 XIP 性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試的應(yīng)用程序是一個(gè)指令密集型應(yīng)用程序，可模擬 AUTOSAR 高速緩存未命中率。高速緩存未命中數(shù)值已通過實(shí)際網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序進(jìn)行校準(zhǔn)（大約 300-400 萬條指令未命中/秒）。通過測量從外部閃存與片上 SRAM (OCSRAM) 執(zhí)行應(yīng)用程序的處理時(shí)間，已經(jīng)獲得了性能下降數(shù)值。如圖 5-1 所示，啟用 RL2 閃存高速緩存后，隨著高速緩存大小的增加，XIP 性能有顯著改善（比采用 128KB 高速緩存的 OCSRAM 提高最多 1.1 倍）。
請注意，這只是一個(gè)案例研究示例。實(shí)際應(yīng)用可能根據(jù)實(shí)際流量模式具有不同程度的性能改進(jìn)。