2 OptiFlash 技術(shù)

TI 提供了一種與眾不同的存儲(chǔ)器技術(shù)，即 OptiFlash 技術(shù)，可通過片上 SRAM 和外部閃存的合理組合，實(shí)現(xiàn)一種高性能、低成本的解決方案。集成了 OptiFlash 技術(shù)的 SoC（如圖 2-1 所示）旨在解決采用外部閃存的傳統(tǒng)高性能 MCU 所面臨的局限性，可提供從內(nèi)部 SRAM 執(zhí)行和直接從外部閃存執(zhí)行（也稱為就地執(zhí)行 (XIP)）的混合執(zhí)行能力，目標(biāo)是使外部閃存的 XIP 性能達(dá)到內(nèi)部 SRAM 的性能。這種解決方案的主要成本優(yōu)勢(shì)在于，內(nèi)部 SRAM 的大小現(xiàn)在可以小于應(yīng)用映像的大小，而且由于掩膜數(shù)量減少和設(shè)備更便宜，沒有嵌入式閃存/NVM 的硅片成本要低得多。這種解決方案還可根據(jù)客戶的需求，在板載存儲(chǔ)器大?。∕B 級(jí)）和器件數(shù)量方面提供可擴(kuò)展性。

從外部閃存執(zhí)行時(shí)會(huì)帶來一系列需要解決的難題，例如：性能、功能安全、信息安全、啟動(dòng)時(shí)間和固件升級(jí)。如圖 3-1 所示，集成在 MCU/SoC 芯片中的 OptiFlash 解決方案提供了一組創(chuàng)新的硬件 (HW) 加速器和軟件 (SW) 工具，旨在克服從外部閃存執(zhí)行時(shí)面臨的所有上述挑戰(zhàn)。OptiFlash 可以尋址高達(dá) 128MB 的外部閃存，同時(shí)能夠盡可能降低系統(tǒng) BOM 成本。