ZHCAEJ6 September 2024 TAS2120 , TAS2320
表 3-3 展示了圖 2-1、圖 2-2 和圖 2-3 中所示元件的建議元件額定值。
| 元件 | 說明 | 規(guī)格 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| L1 | 升壓轉(zhuǎn)換器電感器 | 電感 | 0.47 | 1 | - | μH |
| 飽和電流 | - | 5.3 | - | A | ||
| L2、L3 | 可選 EMI 濾波電感器 | 直流電流 | 2 | - | - | A |
| C1、C2 | DREG、IOVDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 1 | - | μF |
| 電壓額定值 | 2 | 6.3 | - | V | ||
| C3 | VDD 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 2.2 | - | μF |
| 電壓額定值 | 4 | 6.3 | - | V | ||
| C4 | VBAT 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 1 | - | μF |
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | - | V | ||
| C5 | VBAT 電源去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 10 | - | μF |
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | - | V | ||
| C5a | VBAT2S 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 10 | - | μF |
| 電壓額定值 | 10 | 16 | - | V | ||
| C6 | PVDD 低 ESL 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 0.1 | - | μF |
| 電壓額定值 | 16 | 25 | - | V | ||
| C7、C8、*C12 | PVDD 電源去耦電容器。 僅升壓輸出 >13V 時(shí)需要 C12 | 電容，容差為 20% | - | 10 | - | μF |
| 電壓額定值 | 16 | 25 | - | V | ||
| 組合 PVDD 電容器在 13V 時(shí)的降額電容 | 3 | - | - | μF | ||
| C9 | GREG 去耦電容器 | 電容，容差為 20% | - | 0.1 | - | μF |
| 電壓額定值 | 6.3 | 10 | - | V | ||
| C10、C11 | 可選的 EMI 濾波電容器（如果使用 C10、C11，則必須使用 L2、L3） | 電壓額定值 | 2xPVDD | - | V |
硬件模式下的功能選擇引腳必須使用每個(gè)選項(xiàng)的特定電阻值連接到 IOVDD、VBAT 或 GND，請按照表 2-2 表選擇正確的元件值。
| 硬件選擇引腳 | 電阻值 | 說明 |
|---|---|---|
| SEL1 | 0Ω 至 VBAT | 21dBV 和音量斜坡已啟用 |
| 24kΩ 至 VBAT | 18dBV 和音量斜坡已啟用 | |
| 24kΩ 至 GND | 12dBV 和音量斜坡已啟用 | |
| 5kΩ 至 VBAT | 6dBV 和音量斜坡已啟用 | |
| 330Ω 至 VBAT | 21dBV 和音量斜坡已禁用 | |
| 5kΩ 至 GND | 18dBV 和音量斜坡已禁用 | |
| 1.2kΩ 至 VBAT | 12dBV 和音量斜坡已禁用 | |
| 1.2kΩ 至 GND | 6dBV 和音量斜坡已禁用 | |
| 0Ω 至 GND | I2C 模式 | |
| SEL2 | 1.2kΩ 至 IOVDD | 左對齊右通道或 TDM 時(shí)隙 4 |
| 5kΩ 至 GND | 左對齊混合或 TDM 時(shí)隙 5 | |
| 5kΩ 至 IOVDD | TDM 時(shí)隙 6 | |
| 24kΩ 至 GND | TDM 時(shí)隙 7 | |
| 1.2kΩ 至 GND | 左對齊左聲道或 TDM 時(shí)隙 3 | |
| 0Ω 至 IOVDD | I2S 混合或 TDM 時(shí)隙 2 | |
| 330Ω 至 IOVDD | I2S 右通道或 TDM 時(shí)隙 1 | |
| 0Ω 至 GND | I2S 左通道或 TDM 時(shí)隙 0 | |
| SEL3 | 0Ω 至 IOVDD | SBCLK 的上升沿 |
| 0Ω 至 GND | SBCLK 的下降沿 | |
| SEL4 | 24kΩ 至 IOVDD | 地址 0x94 或 Y 橋閾值 1mW |
| 0Ω 至 IOVDD | 地址 0x96 或 Y 橋閾值 40mW | |
| 24kΩ 至 GND | 地址 0x92 | |
| 0Ω 至 GND | 地址 0x90 或 Y 橋閾值 80mW | |
| SEL5 | 0Ω 至 GND |
TAS2120：VBAT 1S 模式 TAS2320：不適用 |
| 24kΩ 至 IOVDD |
TAS2120：VBAT 2S 模式 TAS2320：不適用 |
|
| 0Ω 至 IOVDD | TAS2120：外部 PVDD 模式（2.5V 至 14V） TAS2320：外部 PVDD 模式（2.5V 至 14V） |