PVDD 引腳對應(yīng)于內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器的輸出。當(dāng)輸出功率級別高于 Y 橋閾值時(shí)，PVDD 引腳還用作驅(qū)動(dòng) D 類輸出級的電源。

在將 PVDD 引腳布線到 PCB 上時(shí)需要考慮以下建議：

• 當(dāng)輸出功率級別超過 Y 橋閾值時(shí)，由于邊沿速率較快，D 類輸出級會(huì)從 PVDD 引腳汲取高開關(guān)電流。
• 當(dāng)器件與升壓轉(zhuǎn)換器一起工作時(shí)，不得通過外部電路對該引腳施加負(fù)載。
• 為了更大限度地降低 PVDD 引腳上由于這些瞬態(tài)電流而產(chǎn)生的電壓紋波，必須使用容值大于等于 2 x 22μF 或大于等于 3 x 10μF 的電容器旁路掉 PVDD 引腳。

  對于 PVDD<13V，旁路電容器可以減少到 2 x 10μF 或 1 x 22μF。

• 由于以下原因，該電容可能會(huì)出現(xiàn)一定程度的降額：
  • 容差
  • 接近最大 PVDD 電壓的電壓系數(shù)
• 在 13V 時(shí)，該降額電容必須至少為 3μF。
• 還需要使用 0.1μF 的低 ESL 電容器（ESL 必須小于等于 250pH）旁路掉 PVDD 引腳，以更大限度地減小從 PVDD 到 PGND 的環(huán)路電感。使用 0201 封裝電容器來實(shí)現(xiàn)該旁路。必須將該低 ESL 電容器放置在盡可能靠近器件的位置。
• 需要將去耦電容器旁路至 PGND 引腳。在通過 PCB 地平面進(jìn)行旁路時(shí)，請使用多個(gè)過孔（建議至少使用三個(gè)過孔），以盡可能減小旁路電容器上的地接頭與器件的 PGND 引腳之間的寄生電感。
• 當(dāng)在外部 PVDD 模式下工作時(shí)，PVDD 引腳需要使用能夠承載高電流且具有低寄生電阻的寬引線連接到電源，以更大限度地減小 I²R 損耗。

圖 3-3 PVDD 去耦電容器的放置

圖 3-4 從 PVDD 進(jìn)行的布線