ZHCAD91 October 2023 ATL431 , ATL431LI , TL431 , TL431LI , TLVH432
4.1 并聯(lián)參考設(shè)計
用于執(zhí)行此實驗的 UCC28780EVM-021 EVM 最初具有一個帶 34kΩ 偏置電阻的 ATL431 分流基準(zhǔn)。安裝測試探頭后，在 40W 負(fù)載下測得的平均陰極電壓 VKA 為 16.9V。在將新的并聯(lián)基準(zhǔn)焊接到電路板上進(jìn)行測試時，必須確定新的偏置電流。方程式 3 用于計算所需的新偏置電阻 Rbias，為簡單起見，將 16.9V 假定為陰極電壓 VKA。IKA(min) 是從新器件的數(shù)據(jù)表中提取的，Vout 是使用方程式 1 求出的。由于需要使用反饋電流來設(shè)置該輸出電壓，陰極電壓 VKA 會根據(jù)編程的輸出電壓進(jìn)行變化。TLVH432 的內(nèi)部基準(zhǔn)電壓較低，為 1.24V，這意味著已編程的輸出電壓要低得多，因此 R2 降至 10kΩ，從而將已編程的輸出電壓更改為 19.855V。在 40W 負(fù)載下測得的 TLVH432 陰極電壓 VKA 為 18.27V，然后在方程式 3 中用其計算偏置電阻 Rbias。為 40W 負(fù)載的每個并聯(lián)基準(zhǔn)提供的偏置電阻和偏置電流如表 4-1 所示。
| 組件 | Rbias | Ibias（40W 負(fù)載） | IKA(min) | Vout（預(yù)期） |
|---|---|---|---|---|
| TL431 | 1.5kΩ | 0.99mA | 1mA | 18.59V |
| TLVH432 | 14kΩ | 105.9μA | 100μA | 9.10V |
| ATL431 | 34kΩ | 44μA | 35μA | 18.33V |
| TL431LI | 1.5kΩ | 0.99mA | 1mA | 18.32V |
| ATL431LI | 19.1kΩ | 77.96μA | 80μA | 8.35V |
以下示波器圖像展示了三種負(fù)載條件下每個并聯(lián)基準(zhǔn)的穩(wěn)態(tài)性能。
圖 4-3 TL431 空載
圖 4-5 TL431 40W 負(fù)載
圖 4-7 TLVH432 20W 負(fù)載
圖 4-9 ATL431 空載
圖 4-11 ATL431 40W 負(fù)載
圖 4-13 TL431LI 20W 負(fù)載
圖 4-15 ATL431LI 空載
圖 4-17 ATL431LI 40W 負(fù)載
圖 4-4 TL431 20W 負(fù)載
圖 4-6 TLVH432 空載
圖 4-8 TLVH432 40W 負(fù)載
圖 4-10 ATL431 20W 負(fù)載
圖 4-12 TL431LI 空載
圖 4-14 TL431LI 20W 負(fù)載
圖 4-16 ATL431LI 20W 負(fù)載我們測量了 Vout，將其作為所展示的各個圖的預(yù)期編程值，V1 的測量值略低于 Vout。VAnode 和 VKA 在不同的負(fù)載條件下發(fā)生變化，以修改通過光耦合器二極管的次級側(cè)反饋電流 IFB(secondary)。VKA 的這一變化也降低了在較大負(fù)載下提供給并聯(lián)基準(zhǔn)的偏置電流 Ibias，這就是在滿載條件下將 Ibias 確定為 IKA(min) 的原因所在。