4 方法

為了證明某些并聯(lián)基準(zhǔn)相對(duì)于其他并聯(lián)基準(zhǔn)的性能改進(jìn)，TL431、TLVH432、ATL431、TL431LI 和 ATL431LI 都在具有 SSR 的反激式 EVM（評(píng)估模塊）UCC28780EVM-021 上使用各自所需的偏置電流進(jìn)行了單獨(dú)測(cè)試。此反激式 EVM 使用圖 2-4 中所示的偏置拓?fù)?。本?shí)驗(yàn)將一個(gè)電子負(fù)載連接到反激式輸出，以在空載條件（待機(jī)模式）、20W 負(fù)載和 40W 負(fù)載下測(cè)試每個(gè)并聯(lián)基準(zhǔn)。此 EVM 由隔離式 120V 60Hz 電源通過隔離變壓器和自耦變壓器供電。偏置電阻是按照節(jié) 2.2中的步驟確定的，其中該電阻設(shè)置了 40W 負(fù)載下的 I_bias = I_KA(min)。在 EVM 上焊接了幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)，以正確分析結(jié)果，從而確定光耦合器二極管反饋電流 I_{FB(secondary)}、偏置電流 I_bias 和輸出電壓 V_out。此測(cè)試設(shè)置如圖 4-1 所示，其中展示了正在測(cè)試的實(shí)際 EVM，而圖 4-2 展示了完整的反饋網(wǎng)絡(luò)，包括測(cè)試點(diǎn)和補(bǔ)償電容器。

圖 4-1 EVM 測(cè)試板設(shè)置

圖 4-2 控制網(wǎng)絡(luò)探頭連接