ZHCAD61A September 2023 – October 2023 MCF8315A , MCF8316A
由于 MCF831x 器件是集成式 FET 器件,因此 MOSFET 的導通損耗和關(guān)斷損耗不可避免地會影響熱性能。對于大多數(shù)對數(shù)集成式 FET 電機控制器件,HS+LS 的 Rds(ON) 為 200mΩ 至 300mΩ,但對于 MCF831x,Rds(ON) (Hs+LS) 為 95mΩ,可以大幅降低導通損耗。而對于 MCF831x,MOSFET 下橋的 Rds(ON)用作采樣電阻器,以便進一步降低傳統(tǒng)驅(qū)動器中采樣電阻器導致的損耗。
圖 2-1 MCF831X 電流檢測電路對于內(nèi)部 LDO 和降壓引起的損耗,請查看圖 2-2 中 MCF831x 內(nèi)部的電源軌路徑。
從效率的角度來看,妥善做法是啟用內(nèi)部降壓或 LDO,并將降壓輸出設(shè)置為 3.3V,使 LDO 引起的損耗達到最小值。
圖 2-2 MCF831X 電源序列