特別是對(duì)于 TLC6C5748-Q1，方程式 3 中計(jì)算了局部調(diào)光 SPI 接口（SIN，SCLK）的數(shù)據(jù)吞吐量。例如，具有 60Hz 幀速率的 336 區(qū)設(shè)計(jì)需要大約 0.32MHz 的 SCLK/SIN。TLC6C5748-Q1 僅在 LAT 脈沖到達(dá)時(shí)更新亮度，因此整個(gè)幀周期可用于亮度數(shù)據(jù)傳輸。

此外，GSCLK 是 PWM 調(diào)光計(jì)數(shù)器的獨(dú)立時(shí)鐘。在某些應(yīng)用中，需要使用高 PWM（例如，>20kHz）調(diào)光頻率以避免出現(xiàn)可聞噪聲和莫列波紋。在 TLC6C5748-Q1 上，當(dāng)需要高 PWM 調(diào)光頻率時(shí)，建議設(shè)置 ESPWM 的控制位。方程式 4 展示了啟用 ESPWM 的情況下，PWM 調(diào)光頻率和 GSCLK 之間的關(guān)系。

例如，要實(shí)現(xiàn)超過 20kHz 的 PWM 調(diào)光頻率，至少需要 10.24MHz 的 GSCLK 頻率。某些 OEM 可能對(duì)特定低頻段的近場(chǎng)磁場(chǎng)發(fā)射有限制。大多數(shù)情況下，這種低頻磁輻射發(fā)射直接來自 PWM 調(diào)光操作期間的電流環(huán)路。頻譜上的輻射尖峰與 GSCLK 頻率直接相關(guān)，因?yàn)?PWM 調(diào)光頻率從 GSCLK 分頻。因此，還必須仔細(xì)選擇 GSCLK 頻率以避免尖峰位于敏感頻帶，這一點(diǎn)也很重要。對(duì)于可聞噪聲，除了提升 PWM 調(diào)光頻率外，我們還可以使用鉭聚合物電容器。與 MLCC（多層陶瓷電容器）相比，鉭聚合物電容器不會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)噪聲。通過近場(chǎng)磁場(chǎng)發(fā)射的常用方法是降低 GSCLK。例如，GMW3097 規(guī)范限制了 100kHz 至 150kHz 的近場(chǎng)磁場(chǎng)發(fā)射。根據(jù)方程式 4，當(dāng) GSCLK 為 4MHz 和 14.3MHz 時(shí)，PWM 調(diào)光頻率為 7.8kHz 和 48.8kHz。信號(hào)頻率越低，在高頻范圍內(nèi)振幅就越低，如圖 2-8 所示。

根據(jù)方程式 4，設(shè)計(jì)合適的 LED 調(diào)光頻率也是符合規(guī)范的好方法。例如，50kHz LED 調(diào)光頻率是合適的，因?yàn)樵?50kHz、100kHz、150kHz 等處具有 EMI 噪聲峰值，這意味著可以避免對(duì) 100kHz 至 150kHz 的嚴(yán)格限制。圖 2-9 展示了當(dāng) GSCLK 為 25MHz 且開啟 ESPWM 時(shí)的近場(chǎng)測(cè)試結(jié)果。此外，將穩(wěn)壓電容器分布在 LED 板上還可以降低 LED 調(diào)光頻率帶來的 EMI 噪聲。