ZHCABU0B May 2020 – October 2022 LM63615-Q1 , LM63625-Q1 , LM63635-Q1 , LMR33620 , LMR33620-Q1 , LMR33630 , LMR33630-Q1 , LMR33640 , LMR36006 , LMR36015 , TPS54360B , TPS54560B
4.4.2 測(cè)試 IBB 上的負(fù)載瞬態(tài)
測(cè)試任何設(shè)計(jì)的穩(wěn)定性和可靠性的最佳方法之一是執(zhí)行負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試。圖 4-3 中所示的電路可與 IBB 搭配使用。PFET 用作源極跟隨器，從而允許由脈沖發(fā)生器設(shè)置負(fù)載脈沖參數(shù)。由于這種安排，脈沖發(fā)生器接地可以與系統(tǒng)接地相同。采用這種方法時(shí)，負(fù)載電流幅度和電流脈沖的壓擺率都由脈沖發(fā)生器控制。調(diào)整脈沖發(fā)生器幅度以提供所需負(fù)載電流脈沖幅度。測(cè)量輸出電容器端子附近的輸出電壓瞬態(tài)。根據(jù)所需的負(fù)載電流確定 PFET 和 R 的大小。R = 0.1Ω 這一值適用于 1A 至 3A 范圍內(nèi)的負(fù)載電流。必須檢查 PFET 中的功率損耗，尤其是在輸出電壓和負(fù)載較高時(shí)。
圖 4-3 用于測(cè)量 IBB 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的設(shè)置