ZHCSYH5A June 2025 – September 2025 XTR200
PRODUCTION DATA
封裝選項
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機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DQC|10
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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6.3.2 使用外部晶體管
XTR200 集成了一個輸出晶體管，能夠向各種負載電阻提供指定的輸出電流。然而，在采用高電源電壓的應(yīng)用中，使用外部晶體管會減少 XTR200 中耗散的功率。電源相關(guān)建議 部分提供了在使用內(nèi)部輸出晶體管時有關(guān)電源電壓和 PCB 溫度限制的有用信息。確定外部晶體管的額定值為最大預(yù)期電源電壓，并且能夠耗散負載電流和晶體管上的壓降產(chǎn)生的功率。
圖 6-1 和 圖 6-2 顯示了外部 PNP 或 PMOS 晶體管與 XTR200 配合使用時的電流流動。一部分負載電流流經(jīng) IS 和 VG 引腳之間的內(nèi)部 1kΩ 電阻器，產(chǎn)生一個可導(dǎo)通外部晶體管的電壓。IS 和 VG 引腳之間的電壓由圖中齊納二極管表示的鉗位電路限制在大約 2V。一小部分輸出負載電流仍會流經(jīng) XTR200 的內(nèi)部 PMOS，但會與流經(jīng)外部晶體管的電流再次合并。當使用外部 PNP 晶體管時，基極電流通過內(nèi)部 PMOS (Q2) 再循環(huán)，不會降低輸出電流的精度。
所有負載電流都流經(jīng) XTR200 中的片上 50Ω 電阻器，該電阻器用于測量輸出電流和檢測故障條件。因此，使用外部晶體管不會改變 XTR200 的傳遞函數(shù)或增加最大輸出電流。通過保護內(nèi)部輸出 PMOS 的同一電路，防止外部晶體管出現(xiàn)短路故障。
圖 6-1 外部 PNP 晶體管的電流路徑
圖 6-2 外部 PMOS 晶體管的電流路徑