ZHCSPX9D September 2005 – November 2023 XTR117
PRODUCTION DATA
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外部晶體管，Q1，傳導絕大多數(shù)滿量程輸出電流。在高環(huán)路電壓 (40V) 和 20mA 輸出電流下，該晶體管的功率耗散可接近 0.8W。XTR117 設計為使用外部晶體管來避免片上出現(xiàn)熱致誤差。Q1 產生的熱量仍會導致環(huán)境溫度發(fā)生變化，從而影響 XTR117 性能。為了更大限度地減少這些影響，請將 Q1 放置在遠離敏感模擬電路（包括 XTR117）的位置。安裝 Q1 可將熱量傳導到換能器外殼的外部。
XTR117 旨在使用幾乎任何具有足夠電壓、電流和額定功率的 NPN 晶體管。外殼類型和熱安裝注意事項常常影響任一指定應用的選擇。圖 6-1 中列出了幾種可能的選擇。MOSFET 晶體管不會提高 XTR117 的精度，因此不建議使用。盡管 XTR117 無需額外的外部晶體管即可使用，但由于存在自熱問題，這種配置在較高環(huán)路電壓和電流下并不總是實用。