ZHCSPX9D September 2005 – November 2023 XTR117
PRODUCTION DATA
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對于任何 XTR117 設計，都必須評估 4mA 至 20mA 控制環(huán)路的穩(wěn)定性。對于大多數(shù)應用，建議在 V+ 和 IO 之間使用 10nF 去耦電容器。由于該電容從穩(wěn)定性的角度而言與負載電阻 RLOAD 并聯(lián)，因此電容器和電阻器將形成一個濾波器轉角，可限制系統(tǒng)的帶寬。因此，對于 HART 應用，請改用 2nF 至 3nF 的旁路電容。
對于存在 EMI 和 EMC 問題的應用，請使用具有足夠低 ESR 的旁路電容器將 VLOOP 電源的任何紋波電壓去耦。否則，紋波電壓會耦合到 4mA 至 20mA 電流源上，并在電流到電壓轉換后作為 RLOAD 上的噪聲出現(xiàn)。