ZHCSZ08A July 2025 – October 2025 UCC57142-Q1 , UCC57148-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|6
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6.3.3 驅(qū)動(dòng)器級(jí)
該器件具有 ±3A 的峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，適合驅(qū)動(dòng) Si MOSFET/ IGBT/SiC。該驅(qū)動(dòng)器具有一項(xiàng)重要的安全功能，借助該功能，當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí)，輸出會(huì)保持在低電平狀態(tài)。該驅(qū)動(dòng)器通過使用固有自舉柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn) NMOS 上拉，實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出。在直流條件下，PMOS 用于保持 OUT 與 VDD 的連接，如下圖所示。NMOS 具有低上拉阻抗，從而在導(dǎo)通瞬變期間可產(chǎn)生強(qiáng)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，從而縮短功率半導(dǎo)體的輸入電容的充電時(shí)間并降低導(dǎo)通開關(guān)損耗。
圖 6-2 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)