ZHCSXC7A June 2023 – November 2024 UCC28731-Q1
PRODUCTION DATA
UCC28731-Q1 谷底開關(guān)來降低 MOSFET 中的開關(guān)損耗,降低感應(yīng) EMI 并更大限度地減小電流檢測電阻器上處的導(dǎo)通電流尖峰??刂破髟谒胸?fù)載條件下都以谷底開關(guān)方式工作,除非 VDS 振鈴減小到不再可檢測到谷底的程度。
如圖 6-1 所示,在大多數(shù)負(fù)載條件下,UCC28731-Q1 以谷底跳躍模式運(yùn)行,以保持準(zhǔn)確的電壓或電流調(diào)節(jié)點,并且在最低可用的 VDS 電壓下仍能進(jìn)行開關(guān)。
圖 6-7 谷值跳躍模式谷低跳躍會將每個開關(guān)周期調(diào)制為離散的持續(xù)時間。在 FM 工作期間,開關(guān)周期是指以固定數(shù)據(jù)包的形式將能量輸送到輸出端,并且提供的功率與開關(guān)周期成反比變化的周期。在開關(guān)周期相對較短的工作條件下(例如在高負(fù)載和低壓線路下),每個周期提供的平均功率因周期之間跳過的谷底數(shù)量而顯著變化。因此,谷底跳躍會向輸出添加額外的低振幅紋波電壓,其頻率取決于體電壓的變化速率。對于平均功率級別介于跳過較少谷低的周期和跳過較多谷低的周期之間的負(fù)載,電壓控制環(huán)路會調(diào)制控制律電壓并在較長和較短的開關(guān)周期之間切換,以匹配所需的平均輸出功率。