ZHCS446C September 2011 – July 2024 UCC28063
PRODUCTION DATA
該 IC 通過 VCC 引腳接收所有電源。在 PFC 級的所有工作條件下，該電壓還應盡可能保持穩(wěn)定。可以考慮從下游直流/直流級為該級創(chuàng)建穩(wěn)態(tài)偏置，該直流/直流級通常能夠提供電壓非常穩(wěn)定的偏置繞組。這種策略將提高生成偏壓的整體效率。一個效率較低的替代方案是考慮使用串聯(lián)的固定正電壓穩(wěn)壓器，例如 UA78L15A。
在所有正常和異常運行條件下，VCC 都要保持在其建議的電壓和輸入電流工作范圍內，這一點至關重要。VCC 過壓可能會導致內部電壓鉗位中出現(xiàn)過多的功率耗散，而欠壓可能會導致功率 MOSFET 的驅動電平不足、UVLO 事件（導致 PFC 運行中斷）或者各種片上線性穩(wěn)壓器和基準的余量不足。
另請注意，MOSFET 柵極驅動所需的高 RMS 和峰值電流是通過 IC 13.5V 線性穩(wěn)壓器提供的，該穩(wěn)壓器不支持添加外部去耦電容。對于更高的功率、超高 QG 的功率 MOSFET 或高開關頻率，可以考慮靠近功率 MOSFET 使用外部驅動器晶體管。這些將降低 IC 工作溫度并確保不會超出 VCC 最大輸入電流額定值。
在 VREF 和 AGND 之間以及 VCC 和 PGND 之間盡可能靠近 IC 放置去耦電容。這些器件應該有一些陶瓷電容，這將提供非常低的 ESR。理想情況下，PGND 和 AGND 應該星形連接在控制 IC 處，以便 PGND 和 AGND 之間的直流或高頻交流電壓差可以忽略不計。去耦電容器的值與 EVM 中使用的值類似或略大于這些值。
密切注意啟動和關斷 VCC 偏置自舉電路布置，以便這些電路在施加電源期間盡早提供足夠的穩(wěn)壓偏置電源，并在移除電源期間盡可能晚地提供足夠的穩(wěn)壓偏置電源。確保這些啟動偏置自舉電路不會導致不必要的穩(wěn)態(tài)功耗。