ZHCSN25A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
封裝選項
機械數據 (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購信息
8.2.2.1 選擇自舉和 VDD 電容器
為實現正常運行，自舉電容器必須確保 VHB-HS 電壓高于 UVLO 閾值。使用方程式 1 來計算自舉電容器允許的最大壓降 ΔVHB。
其中
- VDD 是柵極驅動器器件的電源電壓
- VDH 是自舉二極管正向壓降
- VHBL 是 HB 下降閾值 (VHBR(max) – VHBH)
在本示例中，自舉電容器的允許壓降為 2.4V。
通常情況下，建議盡量降低自舉電容器和 VDD 電容器上的紋波電壓。商業(yè)、工業(yè)和汽車應用中的常用紋波值為 0.5V。
使用方程式 2 來估算自舉電容器的每個開關周期所需的總電荷。
其中
- QG 是總 MOSFET 柵極電荷
- IHBS 是數據表中的 HB 至 VSS 漏電流
- DMax 是轉換器的最大占空比
- IHB 是數據表中的 HB 靜態(tài)電流
計算總電荷為 53.41nC。
接下來，使用方程式 3 估算最小自舉電容值。
計算出的最小自舉電容值為 22.25nF。請注意，這是全偏置電壓條件下所需的電容值。實際應用中，自舉電容值必須大于計算值，才能確保在功率級可能因各種瞬態(tài)條件而發(fā)生脈沖跳躍的情況下正常使用。在本示例中，建議使用 100nF 自舉電容器。此外，還建議預留足夠的裕度，并將自舉電容器盡可能靠近 HB 和 HS 引腳放置。此外，為過濾高頻噪音，還應與主旁路電容器并聯一個 0402、1000pF 低值小尺寸電容器。
對于該應用，請選擇 CBOOT 電容器，其規(guī)格如下：0.1μF，25V，X7R
一般而言，本地 VDD 旁路電容器必須大于自舉電容器（通常為自舉電容值的 10 倍）。對于該應用，請選擇 CVDD 電容器，其規(guī)格如下：1μF，25V，X7R
CVDD 電容器位于柵極驅動器的 VDD 和 VSS 引腳之間。與自舉電容器類似，將小尺寸低值電容器與主旁路電容器并聯。對于該應用，為過濾高頻噪音，請選用 0402、1000pF 電容器，并與主旁路電容器并聯。
自舉電容器和偏置電容器必須是具有 X7R 或更優(yōu)電介質的陶瓷型電容器。選擇的電容器額定電壓應至少為其將承受最大電壓的兩倍。選擇該值是因為大多數陶瓷電容器在偏置時會大幅損失電容。該值還可提高系統的長期可靠性。