ZHCSN25A December 2020 – May 2022 UCC27289
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實現(xiàn)
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購信息
5 引腳配置和功能
圖 5-1 D 封裝8 引腳 SOIC頂視圖
圖 5-3 DRM 封裝8 引腳 SON頂視圖
圖 5-2 DRC 封裝10 引腳 SON頂視圖
圖 5-4 DPR 封裝10 引腳 SON頂視圖引腳功能
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 名稱 | DRC | DRM | DPR | D | ||
| EN | 6 | 不適用 | 不適用 | 不適用 | I | 使能輸入。當(dāng)該引腳被拉高時，它將啟用驅(qū)動器。如果保持懸空或被拉低，它將禁用驅(qū)動器。對于高噪聲系統(tǒng)，建議使用 1nF 濾波電容器。 |
| HB | 3 | 2 | 2 | 2 | P | 高側(cè)自舉電源。自舉二極管位于片上，但需要外部自舉電容器才能從 VDD 生成自舉電源。將自舉電容器的正極側(cè)和外部二極管的陰極連接至該引腳。外部二極管的額定電壓應(yīng)為 100V（最小值）。額定電壓較高的二極管也是可以接受的。HB 旁路電容的典型推薦值為 0.1μF，該值主要取決于高側(cè) MOSFET 的柵極電荷。 |
| HI | 7 | 5 | 7 | 5 | I | 高側(cè)輸入。 |
| HO | 4 | 3 | 3 | 3 | O | 高側(cè)輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極或使用時的外部柵極電阻的一端。 |
| HS | 5 | 4 | 4 | 4 | P | 高側(cè)源極連接。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負(fù)極側(cè)連接到該引腳。 |
| LI | 8 | 6 | 8 | 6 | I | 低側(cè)輸入 |
| LO | 10 | 8 | 10 | 8 | O | 低側(cè)輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極或外部柵極電阻的一端（使用時）。 |
| NC | 2 | 不適用 | 5,6 | 不適用 | - | 內(nèi)部未連接。 |
| VDD | 1 | 1 | 1 | 1 | P | 低側(cè)柵極驅(qū)動器的正電源。將該引腳連接到 VSS 進(jìn)行去耦。典型的去耦電容值為 1μF。當(dāng)使用外部自舉二極管時，將陽極連接到該引腳。如果串聯(lián)電阻與自舉二極管串聯(lián)，則將串聯(lián)自舉電阻器的一端連接到該引腳，電阻器的另一端應(yīng)連接到外部自舉二極管的陽極。 |
| VSS | 9 | 7 | 9 | 7 | G | 器件的負(fù)電源端子，通常為系統(tǒng)接地。 |
| 散熱焊盤 | - | - | - | 不適用 | - | 連接到熱質(zhì)量較大的布線（通常是 IC 接地層）以提高熱性能。這只能以電氣方式連接到 VSS。 |
(1) P = 電源，G = 接地，I = 輸入，O = 輸出，I/O = 輸入/輸出