ZHCSYC2A May 2025 – September 2025 TXE8116-Q1 , TXE8124-Q1
ADVANCE INFORMATION
| 最小值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| RESET | |||||
| tw | 復位脈沖持續(xù)時間，SDO CLOAD = 100pF（圖 6-1） | 100 | ns | ||
| tREC | 復位恢復時間，SDO CLOAD = 100pF（圖 6-1） | 100 | ns | ||
| tRESET | 復位時間，SDO CLOAD = 100pF（圖 6-1） | 80 | ns | ||
| 上電復位 | |||||
| tFT | 下降速率（圖 8-3）（圖 8-4） | 0.1 | 2000 | ms | |
| tRT | 上升速率（圖 8-3）（圖 8-4） | 0.1 | 2000 | ms | |
| tTRR_GND | 重新開始斜坡的時間（當 VCC 降至 GND 時）（圖 8-3） | 1 | μs | ||
| tTRR_POR50 | 重新開始斜坡的時間（當 VCC 降至 VPOR_MIN – 50mV 時）（圖 8-4） | 40 | μs | ||
| VCC_GH | 當 tVCC_GW = 1μs 時，VCC 可能會受到干擾但不會導致功能中斷的電平（圖 8-5） | 1.2 | V | ||
| tVCC_GW | 當 VCC_GH = 0.5 × VCC 時，不會導致功能中斷的干擾寬度（圖 8-5） | 10 | μs | ||
| 失效防護 IO | |||||
| fsEN | 失效防護 IO 啟用時間（100pF 負載）（圖 6-2） | 正常模式下輸出高電平，失效防護模式下輸出低電平 | 100 | ns |
|
| 正常模式下輸出低電平，失效防護模式下輸出高電平 | 100 | ns |
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| 正常模式下輸出高電平，失效防護模式下為輸入狀態(tài)（500 歐姆下拉負載） | 70 | ns |
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| 正常模式下輸出低電平，失效防護模式下為輸入狀態(tài)（500ohm 下拉負載） | 70 | ns |
|||
| fsDIS | 失效防護 IO 禁用時間（100pF 負載）（圖 6-2） | 正常模式下輸出高電平，失效防護模式下輸出低電平 | 100 | ns | |
| 正常模式下輸出低電平，失效防護模式下輸出高電平 | 100 |
ns |
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| 正常模式下為輸入狀態(tài)，失效防護模式下輸出高電平（500ohm 下拉負載） | 110 | ns |
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| 正常模式下為輸入狀態(tài)，失效防護模式下輸出低電平（500ohm 下拉負載） | 90 |
ns |
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| 數(shù)字 IO | |||||
| TGW | 數(shù)字干擾濾波器寬度 | 70 | 230 | ns | |