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ZHCSVK1 May 2024 TPSM86637 , TPSM86638

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RCG|19
- MPQF735A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsvk1_oa

5.5 電氣特性

除非另外注明，否則本部分規(guī)定的電氣額定值適用于本文檔的所有規(guī)格。這些規(guī)格可解釋為在該產(chǎn)品的使用壽命范圍內(nèi)，不會導致器件參數(shù)或功能規(guī)格下降的各項條件。典型值對應于 T_J = 25°C，V_IN = 24V。最小值和最大值限值基于 T_J =–40°C 至 +150°C，V_IN = 4.5V 至 28V（除非另有說明）。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電流
I_Q	工作靜態(tài)電流 ¹	T_J = 25°C，V_EN = 5V，V_FB = 0.7V (TPSM86638)		350		μA
I_Q	工作靜態(tài)電流 ¹	T_J = 25°C，V_EN = 5V，V_FB = 0.65V (TPSM86637)		45		μA
I_SD	關斷電源電流	T_J= 25°C，V_EN= 0V		3		μA
UVLO
UVLO	V_IN 欠壓鎖定	喚醒 V_IN 電壓	4.0	4.2	4.4	V
		關斷 V_IN 電壓	3.5	3.65	3.8	V
		遲滯 V_IN 電壓		550		mV
使能（EN 引腳）
I_{EN_INPUT}	輸入電流	V_EN = 1.1V		1		μA
I_{EN_HYS}	遲滯電流	V_EN = 1.3V		3		μA
V_{EN_ON}	啟用閾值	EN 上升		1.18	1.26	V
V_{EN_OFF}	啟用閾值	EN 下降	1	1.07		V
反饋電壓
V_FB	反饋電壓	V_OUT = 5V，連續(xù)模式運行，T_J = 25°C	0.594	0.6	0.606	V
V_FB	反饋電壓	V_OUT = 5V，連續(xù)模式運行，T_J = –40°C 至 150°C	0.591	0.6	0.609	V
電流限值
I_{LS_OCL}	低側(cè) MOSFET 谷值電流限制		6	7.2	8.5	A
I_{HS_OCL}	高側(cè) MOSFET 峰值電流限制		12.75	15	17.25	A
I_NOC	FCCM 的反向電流限制		3			A
占空比和頻率控制
F_SW	開關頻率	V_IN = 24V，V_OUT = 5V，連續(xù)模式運行，模式設置為 800kHz		800		kHz
t_ON(MIN)	最小導通時間短²			50		ns
t_OFF(MIN)	最短關斷時間²	T_J = 25°C		150		ns
軟啟動
I_SS	軟啟動充電電流			6		uA
電源正常
V_PGTH	PG 閾值下限 - 下降	V_FB 的百分比		85%
	PG 下限閾值 - 上升	V_FB 的百分比		90%
	PG 上限閾值 - 下降	V_FB 的百分比		110%
	PG 上限閾值 - 上升	V_FB 的百分比		115%
t_{PG_DLY}	PG 延遲	PG 從低電平到高電平		64		us
t_{PG_DLY}	PG 延遲	PG 從高電平到低電平		32		us
V_OVP	輸出 OVP 閾值	OVP 檢測 (L->H)		125%
t_{OVP_DEG}	OVP 傳播抗尖峰脈沖	T_J = 25°C		32		us
V_UVP	輸出 UVP 閾值	斷續(xù)檢測 (H->L)		65%
t_{UVP_WAIT}	UV 保護斷續(xù)等待時間			256		us
t_{UVP_HICCUP}	恢復前的 UV 保護斷續(xù)時間			10.5		*t_SS
熱關斷
熱關斷閾值³		溫度上升	150	165		°C
熱關斷閾值³		遲滯		30		°C
SW 放電電阻
V_OUT 放電電阻		V_EN = 0，V_SW = 0.5V，T_J = 25°C		200		Ω

(1) 并不代表穩(wěn)壓時系統(tǒng)的總輸入電流。根據(jù)設計和特性測試確定。

(2) 未經(jīng)生產(chǎn)測試。根據(jù)設計確定。

(3) 未經(jīng)生產(chǎn)測試。根據(jù)設計和工程樣品相關性確定。