ZHCSVK1 May 2024 TPSM86637 , TPSM86638
PRODUCTION DATA
使用逐周期低側(cè) MOSFET 谷值電流檢測(cè)和高側(cè) MOSFET 峰值電流檢測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出過(guò)流保護(hù) (OCP)。通過(guò)測(cè)量 MOSFET 漏源電壓來(lái)監(jiān)控開(kāi)關(guān)電流。此電壓與開(kāi)關(guān)電流成正比。為了提升精確度，對(duì)電壓感測(cè)進(jìn)行了溫度補(bǔ)償。
對(duì)于此類(lèi)過(guò)流限制，有一些重要的注意事項(xiàng)。當(dāng)負(fù)載電流高于 ILS_LIMIT 與一半的峰峰值電感器紋波電流之和，或者高于 IHS_LIMIT 與一半的峰峰值電感器紋波電流之差時(shí)，OCP 被觸發(fā)，電流受到限制，輸出電壓往往會(huì)下降，因?yàn)樨?fù)載需求高于模塊可以支持的水平。當(dāng)輸出電壓降至低于目標(biāo)電壓的 65% 時(shí)，UVP 比較器會(huì)檢測(cè)到這種情況并在 256μs 抗尖峰脈沖等待時(shí)間過(guò)后關(guān)斷器件，然后在斷續(xù)時(shí)間（10.5 個(gè)周期的軟啟動(dòng)時(shí)間）后重新啟動(dòng)。過(guò)流條件消失后，輸出恢復(fù)。