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ZHCSUF1D January 2024 – July 2025 TPS7H3014-SEP , TPS7H3014-SP

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

HFT|22
- MCCF005B

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

6.5 電氣特性

相關(guān)條件為 3V ≤ V_IN ≤ 14V，R_{DLY_TMR}= 10.5k?_，R_{REG_TMR}= 10.5k?，C_REFCAP= 470nF，C_VLDO= 1μF，V_{PULL_UP1}= 3.3V，V_{PULL_UP2}= 3.3V，C_{PULL_UP1} = 1μF，C_{PULL_UP2} = 1μF，除非另外指明，否則溫度范圍為 T_A= –55°C 至 125°C；包括 QML RHA 器件 T_A = 25°C 時(shí)組 E 的輻射測(cè)試 ⁽¹⁾ ⁽²⁾

參數(shù)		測(cè)試條件		子組 ⁽³⁾	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓和電流
I_{Q_IN}	V_IN 靜態(tài)電流	等待達(dá)到定序上電和下電狀態(tài)期間。請(qǐng)參閱狀態(tài)圖		1、2、3		2.5	4	mA
UVLO_RISE	V_IN 上升欠壓鎖定			1、2、3	2.72	2.79	2.84	V
UVLO_FALL	V_IN 下降欠壓鎖定			1、2、3	2.59	2.64	2.69	V
V_LDO	內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出電壓	5V ≤ V_IN ≤ 14V		1、2、3	3.19	3.29	3.38	V
V_LDO	內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出電壓	V_IN < 3.24V		1、2、3	97%	99%		× V_IN
REFCAP	內(nèi)部帶隙電壓			1、2、3	1.188	1.2	1.212	V
V_{POR_IN}	上電復(fù)位電壓 ⁽⁴⁾	1.6V ≤ V_{PULL_UPx}≤ 7V，V_OL≤ 320mV，其中 I_ENx= –2mA		1、2、3		1.41	2
V_{POR_PULL_UPx}	上電復(fù)位電壓 ⁽⁵⁾	V_IN= 0V，V_OL≤ 320mV，其中 I_ENx= –100μA		1、2、3		0.89	1.4
SENSE1 至 SENSE4、UP 和 DOWN 比較器輸入
V_{TH_SENSEx}	SENSEx 的閾值電壓			1、2、3	593	599	605	mV
I_{HYS_SENSEx}	SENSEx 遲滯電流	V_SENSEx = 700mV		1、2、3	23.28	24	24.72	μA
I_{LKG_SENSEx}	SENSEx 上的輸入漏電流	V_SENSEx= 500mV		1、2、3		2	100	nA
V_{TH_UP}	UP 上的上升閾值電壓			1、2、3	580	598	615	mV
V_{TH_DOWN}	DOWN 上的下降閾值電壓			1、2、3	483	498	512	mV
V_{HYS_UP_DOWN}	UP 和 DOWN 遲滯電壓			1、2、3		100		mV
I_{LKG_UP_DOWN}	UP 和 DOWN 上的輸入漏電流	V_UP = V_DOWN= 500mV		1、2、3		2	100	nA
V_{TURN_OFF}	通道 2、3、4 關(guān)斷電壓			1、2、3	87%	89%	91%	× VLDO
EN1 至 EN4、SEQ_DONE 和 PWRGD 推挽輸出
V_{OL_ENx}	低電平 ENx 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	I_LOAD = -2mA	1、2、3			10%	x V_{PULL_UP1}
V_{OL_ENx}	低電平 ENx 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	I_LOAD = -10mA	1、2、3			25%
V_{OH_ENx}	高電平 ENx 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	I_LOAD = 2mA	1、2、3	90%
V_{OH_ENx}	高電平 ENx 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	I_LOAD = 10mA	1、2、3	70%
V_{OL_SEQ_DONE}	低電平 SEQ_DONE 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = -2mA	1、2、3			10%	x V_{PULL_UP2}
V_{OL_SEQ_DONE}	低電平 SEQ_DONE 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = -10mA	1、2、3			25%
V_{OH_SEQ_DONE}	高電平 SEQ_DONE 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = 2mA	1、2、3	90%
V_{OH_SEQ_DONE}	高電平 SEQ_DONE 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = 10mA	1、2、3	70%
V_{OL_PWRGD}	低電平 PWRGD 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = -2mA	1、2、3			10%
V_{OL_PWRGD}	低電平 PWRGD 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = -10mA	1、2、3			25%
V_{OH_PWRGD}	高電平 PWRGD 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = 2mA	1、2、3	90%
V_{OH_PWRGD}	高電平 PWRGD 輸出電壓	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	I_LOAD = 10mA	1、2、3	70%
PULL_UPx_LKG	PULL_UPx 漏電流	V_{PULL_UPx}= 7V		1、2、3		48	121	μA
SR_{ENx_RISE}	啟用上升輸出電壓壓擺率	V_{PULL_UP1} 的 10% 至 90%， R_LOAD = 50kΩ， C_LOAD = 100pF	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	9、10、11	17	125		V/μs
SR_{SEQ_DONE_RISE}	SEQ_DONE 上升輸出電壓壓擺率	V_{PULL_UP2} 的 10% 至 90%， R_LOAD = 50kΩ， C_LOAD = 100pF	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	9、10、11	17	125
SR_{PWRGD_RISE}	PWRGD 上升輸出電壓壓擺率	V_{PULL_UP2} 的 10% 至 90%， R_LOAD = 50kΩ， C_LOAD = 100pF	1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	9、10、11	17	125
SR_{ENx_FALL}	啟用下降輸出電壓壓擺率	V_{PULL_UP1} 的 90% 至 10%， R_LOAD = 50kΩ， C_LOAD = 100pF	1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V	9、10、11	44	126
SR_{SEQ_DONE_FALL}	SEQ_DONE 下降輸出電壓壓擺率		1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	9、10、11	44	126
SR_{PWRGD_FALL}	PWRGD 下降輸出電壓壓擺率		1.6V ≤ V_{PULL_UP2} ≤ 7V	9、10、11	44	126
R_{ENx_PULL_UP}	EN PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP1} = 1.6V	1、2、3		18	40	Ω
R_{ENx_PULL_UP}	EN PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP1} = 7V	1、2、3		7	20
R_{SEQ_DONE_PULL_UP}	SEQ_DONE PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP2} = 1.6V	1、2、3		18	40
R_{SEQ_DONE_PULL_UP}	SEQ_DONE PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP2} = 7V	1、2、3		7	20
R_{PWRGD_PULL_UP}	PWRGD PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP2} = 1.6V	1、2、3		18	40
R_{PWRGD_PULL_UP}	PWRGD PMOS 源輸出電阻	I_LOAD = 2mA	V_{PULL_UP2} = 7V	1、2、3		7	20
R_{ENx_PULL_DOWN}	EN NMOS 灌電流輸出電阻	I_LOAD = –2mA，1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V		1、2、3		7	28
R_{SEQ_DONE_PULL_DOWN}	SEQ_DONE NMOS 灌電流輸出電阻	I_LOAD = –2mA，1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V		1、2、3		7	28
R_{PWRGD_PULL_DOWN}	PWRGD NMOS 灌電流輸出電阻	I_LOAD = –2mA，1.6V ≤ V_{PULL_UP1} ≤ 7V		1、2、3		7	28
FAULT 輸出
R_{FAULT_PULL_DOWN}	FAULT 下拉電阻	I_FAULT = 100μA		1、2、3		131	512	Ω
I_{LKG_FAULT}	FAULT 漏電流	V_FAULT=7V		1、2、3		23	600	nA
熱保護(hù)
T_{SD_ENTER}	熱關(guān)斷進(jìn)入溫度					177		℃
T_{SD_EXIT}	熱關(guān)斷退出溫度					164		℃
延遲和穩(wěn)壓計(jì)時(shí)器時(shí)間
t_{DLY_TMR}	延遲時(shí)間	R_{DLY_TMR} = 10.5kΩ		9、10、11	0.205	0.268	0.342	ms
		R_{DLY_TMR} = 619kΩ		9、10、11	10.77	12.5	14.14
		R_{DLY_TMR} = 1.18MΩ		9、10、11	20	23.37	27.2
t_{REG_TMR}	穩(wěn)壓時(shí)間	R_{REG_TMR} = 10.5kΩ		9、10、11	0.197	0.264	0.34
		R_{REG_TMR} = 619kΩ		9、10、11	10.8	12.4	14.1
		R_{REG_TMR} = 1.18MΩ		9、10、11	20.3	23.63	27.2

(1) 有關(guān) RHA 器件的更多信息，請(qǐng)參閱 5962R2320101VXC SMD（標(biāo)準(zhǔn)微電路圖）。

(2) 所有電壓值均以 GND 為基準(zhǔn)。

(3) 有關(guān)子組定義，請(qǐng)參閱質(zhì)量合格檢驗(yàn) 表。

(4) 當(dāng) 1.6V ≤ V_{PULL_UPx} ≤ 7V 時(shí)，V_{POR_IN} 是受控輸出狀態(tài)下的最小 V_IN 電壓。低于 V_{POR_IN} 時(shí)，無(wú)法確定輸出。

(5) 當(dāng) V_IN ≤ 3V 時(shí)，V_{POR_PULL_UPx} 是受控輸出狀態(tài)下的最小 V_{PULL_UPx} 電壓。低于 V_{POR_PULL_UPx} 時(shí)，無(wú)法確定輸出。