ZHCSZ32 October 2025 TPS7E66-Q1
ADVANCE INFORMATION
該器件有一個(gè)內(nèi)部過功率限制電路,可在內(nèi)部 SOA(安全工作區(qū))限制內(nèi)限制 LDO 上的功率耗散。LDO 因素在確保硅元件及封裝中使用的鍵合線安全運(yùn)行方面由 SOA 限制。這些限制可驗(yàn)證器件的可靠運(yùn)行,并防止器件失效因過熱、擊穿或其他損壞效應(yīng)而產(chǎn)生。
LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 兩端的壓降 (VIN - V OUT) 及流經(jīng)的負(fù)載電流 (IL) 定義。
功率限制電路可監(jiān)測(cè) LDO 上的壓降(余量,VIN - VOUT)和流經(jīng)的輸出負(fù)載電流 (IOUT)。如果 PDissip 超過定義的 SOA 限制,則功率限制電路會(huì)限制流經(jīng)的負(fù)載電流 (IOUT)。當(dāng)器件處于功率限制操作狀態(tài)時(shí),不會(huì)調(diào)節(jié)輸出電壓。節(jié) 5.5中記錄了滿余量 (VIN - VOUT = 40V) 下支持的最大電流 (IPLIMIT) 和滿負(fù)載電流下支持的最大余量 (VPHEADROOM)。
圖 6-5 展示了功率限制圖。