ZHCSZ32 October 2025 TPS7E66-Q1
ADVANCE INFORMATION
該器件包含一個熱關斷保護電路,用于在導通晶體管的結溫
(TJ) 上升到 TSD+(典型值)時禁用器件。熱關斷遲滯可確認在溫度降至 TSD-(典型值)時器件復位(導通)。
半導體芯片的熱時間常數相當短,因此當達到熱關斷時,器件可以循環(huán)開關,直到功率耗散降低。由于器件上的 VIN – VOUT 壓降較大,或為大型輸出電容器充電的浪涌電流較高,啟動期間的功率耗散可能較高。在某些情況下,熱關斷保護功能會在啟動完成之前禁用器件。
為了實現可靠運行,請將結溫限制在節(jié) 5.3 表中列出的最大值。在超過這個最高溫度的情況下運行會導致器件超出運行規(guī)格。雖然器件的內部保護電路旨在防止總體發(fā)熱情況,但此電路并不用于替代適當的散熱。使器件持續(xù)進入熱關斷狀態(tài)或在超過建議的最高結溫下運行會降低長期可靠性。