ZHCSQO4B December 2022 – June 2024 TPS65220
PRODUCTION DATA
輸入電容 - LDO1、LDO2
LDO 輸入需要一個(gè)輸入去耦電容器，以盡可能減少輸入紋波電壓。建議每個(gè) LDO 使用典型的 2.2μF 電容。根據(jù) LDO 的輸入電壓，可以使用 6.3V 或更高額定值的電容器。當(dāng) LDO 配置為 LDO、旁路或“負(fù)載開(kāi)關(guān)”時(shí)，相同的輸入電容要求適用。
輸出電容 - LDO1、LDO2
LDO 輸出需要一個(gè)輸出電容器，以在負(fù)載階躍或輸入電壓變化期間保持輸出電壓。建議對(duì)每個(gè) LDO 輸出使用 2.2μF 本地電容，ESR 為 10mΩ 或更小。局部電容不得超過(guò) 4μF（降額后）。此要求不包括在負(fù)載處看到的任何電容，僅指在器件附近看到的電容。每個(gè) LDO 可支持的總電容（本地 + 負(fù)載點(diǎn)）取決于 NVM 配置。表 7-3 顯示了基于電源軌配置所允許的最大總輸出電容。請(qǐng)參閱具體可訂購(gòu)器件型號(hào)的技術(shù)參考手冊(cè) (TRM)，以根據(jù)寄存器設(shè)置和適用的最大總電容來(lái)確定 LDO 配置。
| 寄存器設(shè)置 | LDO 配置 | 最大總電容（2.2μF 本地 + 負(fù)載點(diǎn)） | |
|---|---|---|---|
| LDOx_LSW_CONFIG | LDOx_BYP_CONFIG | ||
| 0 | 0 | LDO | 20μF |
| 0 | 1 | 旁路 | 50μF |
| 1 | X | 負(fù)載開(kāi)關(guān) | 50μF |