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ZHCSO99D June 2021 – August 2022 TPS62932 , TPS62933 , TPS62933F , TPS62933O , TPS62933P

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DRL|8
- MPCS002F

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

8.5 電氣特性

除非另外注明，否則本部分規(guī)定的電氣額定值適用于本文檔的所有規(guī)格。這些規(guī)格可解釋為在該產(chǎn)品的使用壽命范圍內(nèi)，不會(huì)導(dǎo)致器件參數(shù)或功能規(guī)格下降的各項(xiàng)條件。T_J = –40°C 至 +150°C，V_IN = 3.8V 至 30V（除非另有說(shuō)明）。

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓（VIN 引腳）
V_IN	工作輸入電壓		3.8		30	V
I_Q	非開關(guān)靜態(tài)電流	EN = 5V，V_FB = 0.85V，TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P		12		μA
		EN = 5V，V_FB = 1V，TPS62933F		125
		EN = 5V，V_FB = 1V，TPS62933O		45
I_SHDN	關(guān)斷電源電流	V_EN = 0V		2		μA
V_{IN_UVLO}	輸入欠壓鎖定閾值	上升閾值	3.4	3.6	3.8	V
		下降閾值	3.1	3.3	3.5	V
		Hysteresis		300		mV
使能（EN 引腳）
V_{EN_RISE}	啟用閾值	上升使能閾值		1.21	1.28	V
V_{EN_FALL}	禁用閾值	下降禁用閾值	1.1	1.17		V
I_p	EN 上拉電流	V_EN = 1.0 V		0.7		μA
I_h	EN 上拉遲滯電流	V_EN = 1.5V		1.4		μA
電壓基準(zhǔn)（FB 引腳）
V_FB	FB 電壓	T_J = 25°C	792	800	808	mV
		T_J = 0°C 至 85°C	788	800	812	mV
		T_J = -40°C 至 150°C	784	800	816	mV
I_FB	輸入漏電流	V_FB = 0.8 V			0.15	μA
集成功率 MOSFET
R_{DSON_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	T_J = 25°C，V_BST – SW = 5V		76		mΩ
R_{DSON_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	T_J = 25°C		32		mΩ
電流限值
I_{HS_LIMIT}	高側(cè) MOSFET 電流限制	TPS62933 和 TPS62933x	4.2	5	5.8	A
I_{HS_LIMIT}	高側(cè) MOSFET 電流限制	TPS62932	2.8	3.4	4	A
I_{LS_LIMIT}	低側(cè) MOSFET 電流限制	TPS62933 和 TPS62933x	2.9	3.8	4.5	A
I_{LS_LIMIT}	低側(cè) MOSFET 電流限制	TPS62932	2	2.5	3	A
I_{LS_NOC}	反向電流限制	TPS62933F	1.2	2.4	3.6	A
I_{PEAK_MIN}	最小峰值電感器電流	TPS62933、TPS62933P 和 TPS62933O		0.75		A
I_{PEAK_MIN}	最小峰值電感器電流	TPS62932		0.53		A
軟啟動(dòng) (SS PIN)
I_SS	軟啟動(dòng)充電電流	TPS62932、TPS62933 和 TPS62933F	4.5	5.5	6.5	μA
T_SS	固定內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間	TPS62933P 和 TPS62933O		2		ms
電源正常（PG 引腳）
V_PGTH	PG 閾值，V_FB 百分比	V_FB 下降，PG 從高到低		85%
		V_FB 上升，PG 從低到高		90%
		V_FB 下降，PG 從低到高		110%
		V_FB 上升，PG 從高到低		115%
T_{PG_R}	PG 延遲時(shí)間	PG 從低到高		70		μs
T_{PG_F}	PG 延遲時(shí)間	PG 從高到低		18		μs
V_{IN_PG_VALID}	有效 PG 輸出的最小 V_IN	在 PG 小于 0.5V 且 100kΩ 上拉至外部 5V 時(shí)測(cè)得		2	2.5	V
V_{PG_OL}	PG 輸出低電平電壓	I_PG = 0.5mA			0.3	V
I_{PG_LK}	開漏為高電平時(shí)的 PG 漏電流	V_PG = 5.5V	-1		1	μA
振蕩器頻率（RT 引腳）
f_SW	開關(guān)中心頻率	RT = 懸空	450	500	550	kHz
		RT = GND	1000	1200	1350
		RT = 71.5kΩ		310
		RT = 9.09kΩ		2100
f_{SW_min}	最小開關(guān)頻率	TPS62933O		30		kHz
t_{ON_MIN}⁽¹⁾	最小 ON 脈沖寬度			70		ns
t_{OFF_MIN}⁽¹⁾	最小 OFF 脈沖寬度			140		ns
t_{ON_MAX}⁽¹⁾	最大 ON 脈沖寬度			7		μs
輸出過(guò)壓和欠壓保護(hù)
V_OVP	輸出 OVP 閾值	OVP 檢測(cè) (L→H)	112%	115%	118%
V_OVP	輸出 OVP 閾值	遲滯		5%
V_UVP	輸出 UVP 閾值	UVP 檢測(cè) (H→L)		65%
t_{hiccup_ON}	軟啟動(dòng)結(jié)束后進(jìn)入斷續(xù)模式之前的 UV 斷續(xù)導(dǎo)通時(shí)間			256		μs
t_{hiccup_OFF}	重新啟動(dòng)前的 UV 斷續(xù)關(guān)斷時(shí)間			10.5 × t_SS		s
熱關(guān)斷
T_SHDN⁽¹⁾	熱關(guān)斷閾值	關(guān)斷溫度		165		°C
T_HYS⁽¹⁾		遲滯		30		℃
展頻頻率
f_m	調(diào)制頻率			f_SW/128		kHz
f_spread	內(nèi)部展頻振蕩器頻率			±6%

(1) 未經(jīng)生產(chǎn)測(cè)試，由設(shè)計(jì)指定。