ZHCSY59 April 2025 TMUX6612-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TMUX6612-Q1 器件具有傳輸門拓撲結構。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入,用符號 QC 表示。圖 16-7 展示了用于測量從源極 (Sx) 到漏極 (Dx) 的電荷注入的設置。