ZHCSQO3A june 2022 – march 2023 TMUX4051-Q1 , TMUX4052-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入,用符號(hào) QC 表示。圖 8-8 顯示了用于測(cè)量從源極 (Sx) 到漏極 (D) 的電荷注入的設(shè)置。