ZHCSPK6A december 2021 – august 2022 TMP9R00-SP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3 特性說明
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 7.6
寄存器映射
- 7.6.1
寄存器信息
- 7.6.1.1 指針寄存器
- 7.6.1.2 本地和遠(yuǎn)程溫度值寄存器
- 7.6.1.3 軟件復(fù)位寄存器
- 7.6.1.4 THERM 狀態(tài)寄存器
- 7.6.1.5 THERM2 狀態(tài)寄存器
- 7.6.1.6 遠(yuǎn)程通道打開狀態(tài)寄存器
- 7.6.1.7 配置寄存器
- 7.6.1.8 η 因數(shù)校正寄存器
- 7.6.1.9 遠(yuǎn)程溫度偏移寄存器
- 7.6.1.10 THERM 遲滯寄存器
- 7.6.1.11 本地及遠(yuǎn)程 THERM 和 THERM2 限值寄存器
- 7.6.1.12 塊讀取 - 自動(dòng)遞增指針
- 7.6.1.13 鎖定寄存器
- 7.6.1.14 制造商和器件標(biāo)識(shí)以及修訂版本寄存器
- 7.6.1
寄存器信息
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- HKT|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.1 設(shè)計(jì)要求
TMP9R00-SP 器件旨在與內(nèi)置于處理器芯片、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA) 和應(yīng)用特定集成電路 (ASIC) 中的分立式晶體管或基板晶體管配合使用。只要將基極-發(fā)射極結(jié)作為遠(yuǎn)程溫度傳感器，就可以使用 NPN 或 PNP 晶體管。NPN 晶體管必須連接二極管，PNP 晶體管可以連接晶體管或二極管。請(qǐng)參閱圖 8-2 了解配置選項(xiàng)。
遠(yuǎn)程溫度傳感器讀數(shù)誤差通常是由于 TMP9R00-SP 器件使用的理想因數(shù)（η 因數(shù)）和電流激勵(lì)，與制造商針對(duì)給定晶體管指定的工作電流共同作用的結(jié)果。一些制造商為溫度檢測(cè)基板晶體管指定了高電平和低電平電流。TMP9R00-SP 對(duì)于 ILOW 使用 7.5μA（典型值），對(duì)于 IHIGH 使用 120μA（典型值）。
理想因數(shù)（η 因數(shù)）是與理想二極管相比得出的遠(yuǎn)程溫度傳感器二極管的測(cè)量特性。TMP9R00-SP 允許使用不同的 η 因數(shù)值。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱η 因數(shù)校正寄存器。
TMP9R00-SP 器件的 η 因數(shù)值修整為 1.008。如果晶體管的理想因數(shù)與 TMP9R00-SP 器件不匹配，可使用方程式 4 計(jì)算溫度誤差。
要正確使用方程式 4，必須將實(shí)際溫度 (°C) 轉(zhuǎn)換為開爾文 (K)。
其中
- TERR = TMP9R00-SP 器件中的誤差，因?yàn)?η ≠ 1.008
- η = 遠(yuǎn)程溫度傳感器的理想因數(shù)
- T(°C) = 實(shí)際溫度
在方程式 4 中，°C 和 K 的增量程度是相同的。
在 η = 1.004 且 T(°C) = 100°C 時(shí)：
如果將分立式晶體管用作 TMP9R00-SP 器件的遠(yuǎn)程溫度傳感器，請(qǐng)根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)選擇晶體管，以便獲得出色的精度：
- 在最高檢測(cè)溫度下，7.5μA 時(shí)的基極-發(fā)射極電壓 > 0.25V。
- 在最低檢測(cè)溫度下，120μA 時(shí)的基極-發(fā)射極電壓 < 0.95V。
- 基極電阻 < 100Ω。
- hFE 的變化幅度很?。?0 至 150），表示對(duì) VBE 特性的嚴(yán)格控制。
根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn)，TI 建議使用 MMBT3904 (NPN) 或 MMBT3906 (PNP) 晶體管。