ZHCSYK6B October 1987 – June 2025 TLV2711
PRODUCTION DATA
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|5
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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6.1.1 驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載
TLV2711 旨在驅(qū)動(dòng)比大多數(shù) CMOS 運(yùn)算放大器更大的容性負(fù)載。圖 5-31 說(shuō)明了驅(qū)動(dòng)最高達(dá) 600pF 的負(fù)載并同時(shí)保持良好的相位裕度 (Rnull = 0Ω) 的能力。
器件輸出端（請(qǐng)參閱 圖 6-1）的更小的串聯(lián)電阻器 (Rnull) 可在驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載時(shí)改善增益裕度和相位裕度。添加該串聯(lián)電阻會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)影響。第一個(gè)影響是該串聯(lián)電阻在傳遞函數(shù)中引入了一個(gè)零點(diǎn)。第二個(gè)影響是該串聯(lián)電阻降低了傳遞函數(shù)中與輸出負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)頻率。
引入傳遞函數(shù)的零點(diǎn)等于串聯(lián)電阻乘以負(fù)載電容。要計(jì)算相位裕度的改善，請(qǐng)使用 方程式 1。
方程式 1. Δ?m1 = tan–1 (2 × π × UGBW × Rnull × CL)
其中
- Δφm1 = 相位裕度的改善
- UGBW = 單位增益帶寬頻率
- Rnull = 輸出串聯(lián)電阻
- CL = 負(fù)載電容
圖 6-1 串聯(lián)電阻電路