ZHCSYK6B October 1987 – June 2025 TLV2711
PRODUCTION DATA
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|5
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.1.1 驅(qū)動大容性負載
TLV2711 旨在驅(qū)動比大多數(shù) CMOS 運算放大器更大的容性負載。圖 5-31 說明了驅(qū)動最高達 600pF 的負載并同時保持良好的相位裕度 (Rnull = 0Ω) 的能力。
器件輸出端（請參閱 圖 6-1）的更小的串聯(lián)電阻器 (Rnull) 可在驅(qū)動大容性負載時改善增益裕度和相位裕度。添加該串聯(lián)電阻會產(chǎn)生兩個影響。第一個影響是該串聯(lián)電阻在傳遞函數(shù)中引入了一個零點。第二個影響是該串聯(lián)電阻降低了傳遞函數(shù)中與輸出負載相關(guān)的極點頻率。
引入傳遞函數(shù)的零點等于串聯(lián)電阻乘以負載電容。要計算相位裕度的改善，請使用 方程式 1。
方程式 1. Δ?m1 = tan–1 (2 × π × UGBW × Rnull × CL)
其中
- Δφm1 = 相位裕度的改善
- UGBW = 單位增益帶寬頻率
- Rnull = 輸出串聯(lián)電阻
- CL = 負載電容
圖 6-1 串聯(lián)電阻電路