3 說明

TLE206x 系列低功耗 JFET 輸入運(yùn)算放大器可將早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的帶寬加倍，但不會(huì)顯著增加功耗。德州儀器 (TI) 的 Excalibur 工藝還可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失調(diào)電壓的片上齊納微調(diào)可為直流耦合應(yīng)用生成精密等級(jí)。TL206x 器件與其他德州儀器 (TI) BiFET 兼容，為此，該器件能讓 TL06x 和 TL03x 電路的帶寬加倍，或?qū)?TL05x、TL07x 和 TL08x 電路的功耗降低近 90%。

BiFET 運(yùn)算放大器提供的 JFET 輸入晶體管，其固有的輸入阻抗更高，然并不會(huì)降低與雙極放大器相關(guān)的輸出驅(qū)動(dòng)。這些器件特性專為連接高阻抗傳感器或低電平交流信號(hào)而設(shè)計(jì)。此外，與具有類似功耗的雙極或 CMOS 器件相比，這些器件本身具有更好的交流響應(yīng)。TLE206x 系列具有高輸出驅(qū)動(dòng)電路，能夠在低至 ±5V 的電源電壓下驅(qū)動(dòng) 100Ω 的負(fù)載。這使得它們特別適合驅(qū)動(dòng)調(diào)制解調(diào)器中的變壓器負(fù)載以及其他需要良好交流特性、低功耗和高輸出驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中。

由于 BiFET 運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)用于雙電源，因此在采用單電源供電時(shí)必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號(hào)的直流偏置，負(fù)載必須端接至 1/2 Vs 的虛擬接地節(jié)點(diǎn)。德州儀器 (TI) TLE2426 集成式虛擬接地發(fā)生器在通過單電源運(yùn)行 BiFET 放大器時(shí)非常有用。

TLE206x 的額定工作電壓為 ±15V 和 ±5V。若要在低電壓或單電源系統(tǒng)中運(yùn)行，建議使用德州儀器 (TI) LinCMOS 系列運(yùn)算放大器（TLC- 和 TLV- 前綴）。從 BiFET 遷移到 CMOS 放大器時(shí)，應(yīng)特別注意壓擺率、帶寬要求以及輸出負(fù)載。德州儀器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 運(yùn)算放大器是理想的選擇。

封裝信息

器件型號(hào)	封裝⁽¹⁾	封裝尺寸⁽²⁾
TLE2061、TLE2061A、TLE2062	P（PDIP，8）	9.81mm × 9.43mm
TLE2061、TLE2061A、TLE2062	D（SOIC，8）	4.9mm × 6mm
TLE2062A	D（SOIC，8）	4.9mm × 6mm
TLE2064，TLE2064A	N（PDIP，14）	19.3mm × 9.4mm
TLE2064，TLE2064A	D（SOIC，14）	8.65mm × 6mm
TLE2061M、TLE2061AM、TLE2062M	JG（CDIP，8）	9.6mm × 6.67mm
TLE2061M、TLE2061AM、TLE2062M	FK（LCCC，20）	8.89mm × 8.89mm
TLE2064M，TLE2064BM	J（CDIP，14）	19.56mm × 6.67mm
TLE2064M，TLE2064BM	FK（LCCC，20）	8.89mm × 8.89mm
TLE2064AM	J（CDIP，14）	19.56mm × 6.67mm
	CFP（W，14）	9.21mm × 6.3mm
	FK（LCCC，20）	8.89mm × 8.89mm

(1) 有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱節(jié) 10。

(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標(biāo)稱值，并包括引腳（如適用）。

TLE2061 TLE2061A TLE2062 TLE2062A TLE2064 TLE2064A TLE2061M TLE2061AM TLE2061BM TLE2062M TLE2062AM TLE2062BM TLE2064M TLE2064AM TLE2064BM 符號(hào)

符號(hào)