TLE2064AM

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軍用級、四通道、36V、2MHz、輸入接近 V+、1.5mV 失調(diào)電壓、JFET 輸入運算放大器

可提供此產(chǎn)品的更新版本

功能與比較器件相同，且具有相同引腳
LM124M 正在供貨 工作溫度范圍為 -55°C 至 125°C 的軍用級、四通道、30V、1.2MHz 運算放大器 High GBW (1.2 MHz), low power (0.175 mA), low noise (35 nV/√Hz), high output current (40 mA)

產(chǎn)品詳情

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/μs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.312 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (μV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/μs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.312 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (μV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
CDIP (J) 14 130.4652 mm2 19.56 x 6.67 CFP (W) 14 58.023 mm2 9.21 x 6.3 LCCC (FK) 20 79.0321 mm2 8.89 x 8.89
  • TL06x 和 TL03x 運算放大器的 2 倍帶寬 (2MHz)
  • 低電源電流：290μA/Ch (典型值)
  • 微調(diào)片上失調(diào)電壓，可提高直流性能
  • 指定為 100Ω 負(fù)載的高輸出驅(qū)動
  • 噪底比前幾代低功耗的 BiFET 更低
  • TL06x 和 TL03x 運算放大器的 2 倍帶寬 (2MHz)
  • 低電源電流：290μA/Ch (典型值)
  • 微調(diào)片上失調(diào)電壓，可提高直流性能
  • 指定為 100Ω 負(fù)載的高輸出驅(qū)動
  • 噪底比前幾代低功耗的 BiFET 更低

TLE206x 系列低功耗 JFET 輸入運算放大器可將早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的帶寬加倍，但不會顯著增加功耗。德州儀器 (TI) 的 Excalibur 工藝還可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失調(diào)電壓的片上齊納微調(diào)可為直流耦合應(yīng)用生成精密等級。TL206x 器件與其他德州儀器 (TI) BiFET 兼容，為此，該器件能讓 TL06x 和 TL03x 電路的帶寬加倍，或?qū)?TL05x、TL07x 和 TL08x 電路的功耗降低近 90%。

BiFET 運算放大器提供的 JFET 輸入晶體管，其固有的輸入阻抗更高，然并不會降低與雙極放大器相關(guān)的輸出驅(qū)動。這些器件特性專為連接高阻抗傳感器或低電平交流信號而設(shè)計。此外，與具有類似功耗的雙極或 CMOS 器件相比，這些器件本身具有更好的交流響應(yīng)。TLE206x 系列具有高輸出驅(qū)動電路，能夠在低至 ±5V 的電源電壓下驅(qū)動 100Ω 的負(fù)載。這使得它們特別適合驅(qū)動調(diào)制解調(diào)器中的變壓器負(fù)載以及其他需要良好交流特性、低功耗和高輸出驅(qū)動的應(yīng)用中。

由于 BiFET 運算放大器設(shè)計用于雙電源，因此在采用單電源供電時必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號的直流偏置，負(fù)載必須端接至 1/2 Vs 的虛擬接地節(jié)點。德州儀器 (TI) TLE2426 集成式虛擬接地發(fā)生器在通過單電源運行 BiFET 放大器時非常有用。

TLE206x 的額定工作電壓為 ±15V 和 ±5V。若要在低電壓或單電源系統(tǒng)中運行，建議使用德州儀器 (TI) LinCMOS 系列運算放大器（TLC- 和 TLV- 前綴）。從 BiFET 遷移到 CMOS 放大器時，應(yīng)特別注意壓擺率、帶寬要求以及輸出負(fù)載。德州儀器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 運算放大器是理想的選擇。

TLE206x 系列低功耗 JFET 輸入運算放大器可將早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的帶寬加倍，但不會顯著增加功耗。德州儀器 (TI) 的 Excalibur 工藝還可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失調(diào)電壓的片上齊納微調(diào)可為直流耦合應(yīng)用生成精密等級。TL206x 器件與其他德州儀器 (TI) BiFET 兼容，為此，該器件能讓 TL06x 和 TL03x 電路的帶寬加倍，或?qū)?TL05x、TL07x 和 TL08x 電路的功耗降低近 90%。

BiFET 運算放大器提供的 JFET 輸入晶體管，其固有的輸入阻抗更高，然并不會降低與雙極放大器相關(guān)的輸出驅(qū)動。這些器件特性專為連接高阻抗傳感器或低電平交流信號而設(shè)計。此外，與具有類似功耗的雙極或 CMOS 器件相比，這些器件本身具有更好的交流響應(yīng)。TLE206x 系列具有高輸出驅(qū)動電路，能夠在低至 ±5V 的電源電壓下驅(qū)動 100Ω 的負(fù)載。這使得它們特別適合驅(qū)動調(diào)制解調(diào)器中的變壓器負(fù)載以及其他需要良好交流特性、低功耗和高輸出驅(qū)動的應(yīng)用中。

由于 BiFET 運算放大器設(shè)計用于雙電源，因此在采用單電源供電時必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號的直流偏置，負(fù)載必須端接至 1/2 Vs 的虛擬接地節(jié)點。德州儀器 (TI) TLE2426 集成式虛擬接地發(fā)生器在通過單電源運行 BiFET 放大器時非常有用。

TLE206x 的額定工作電壓為 ±15V 和 ±5V。若要在低電壓或單電源系統(tǒng)中運行，建議使用德州儀器 (TI) LinCMOS 系列運算放大器（TLC- 和 TLV- 前綴）。從 BiFET 遷移到 CMOS 放大器時，應(yīng)特別注意壓擺率、帶寬要求以及輸出負(fù)載。德州儀器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 運算放大器是理想的選擇。
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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TLE206x、TLE206xA、TLE206xB Excalibur JFET-輸入高輸出驅(qū)動 μPower 運算放大器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 23日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

支持和培訓(xùn)