TLE2061BM

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軍用級、單通道、36V、2MHz、輸入接近 V+、500μV 失調電壓、JFET 輸入運算放大器

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功能與比較器件相同，但引腳排列有所不同
LM158A 正在供貨 軍用級、雙通道、30V、700kHz、3mV 失調電壓運算放大器 Wider supply range (3 V to 32 V), lower offset voltage (2 mV), lower power (0.35 mA)

產品詳情

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/μs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.29 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (μV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 36 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 2 Slew rate (typ) (V/μs) 3.4 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.29 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 40 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (μV/°C) 6 Input bias current (max) (pA) 60 CMRR (typ) (dB) 90 Iout (typ) (A) 0.045 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.3 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.3
CDIP (JG) 8 64.032 mm2 9.6 x 6.67
  • TL06x 和 TL03x 運算放大器的 2 倍帶寬 (2MHz)
  • 低電源電流：290μA/Ch (典型值)
  • 微調片上失調電壓，可提高直流性能
  • 指定為 100Ω 負載的高輸出驅動
  • 噪底比前幾代低功耗的 BiFET 更低
  • TL06x 和 TL03x 運算放大器的 2 倍帶寬 (2MHz)
  • 低電源電流：290μA/Ch (典型值)
  • 微調片上失調電壓，可提高直流性能
  • 指定為 100Ω 負載的高輸出驅動
  • 噪底比前幾代低功耗的 BiFET 更低

TLE206x 系列低功耗 JFET 輸入運算放大器可將早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的帶寬加倍，但不會顯著增加功耗。德州儀器 (TI) 的 Excalibur 工藝還可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失調電壓的片上齊納微調可為直流耦合應用生成精密等級。TL206x 器件與其他德州儀器 (TI) BiFET 兼容，為此，該器件能讓 TL06x 和 TL03x 電路的帶寬加倍，或將 TL05x、TL07x 和 TL08x 電路的功耗降低近 90%。

BiFET 運算放大器提供的 JFET 輸入晶體管，其固有的輸入阻抗更高，然并不會降低與雙極放大器相關的輸出驅動。這些器件特性專為連接高阻抗傳感器或低電平交流信號而設計。此外，與具有類似功耗的雙極或 CMOS 器件相比，這些器件本身具有更好的交流響應。TLE206x 系列具有高輸出驅動電路，能夠在低至 ±5V 的電源電壓下驅動 100Ω 的負載。這使得它們特別適合驅動調制解調器中的變壓器負載以及其他需要良好交流特性、低功耗和高輸出驅動的應用中。

由于 BiFET 運算放大器設計用于雙電源，因此在采用單電源供電時必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號的直流偏置，負載必須端接至 1/2 Vs 的虛擬接地節(jié)點。德州儀器 (TI) TLE2426 集成式虛擬接地發(fā)生器在通過單電源運行 BiFET 放大器時非常有用。

TLE206x 的額定工作電壓為 ±15V 和 ±5V。若要在低電壓或單電源系統中運行，建議使用德州儀器 (TI) LinCMOS 系列運算放大器（TLC- 和 TLV- 前綴）。從 BiFET 遷移到 CMOS 放大器時，應特別注意壓擺率、帶寬要求以及輸出負載。德州儀器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 運算放大器是理想的選擇。

TLE206x 系列低功耗 JFET 輸入運算放大器可將早期 TL06x 和 TL03x BiFET 系列的帶寬加倍，但不會顯著增加功耗。德州儀器 (TI) 的 Excalibur 工藝還可提供比 TL06x 和 TL03x 更低的噪底。失調電壓的片上齊納微調可為直流耦合應用生成精密等級。TL206x 器件與其他德州儀器 (TI) BiFET 兼容，為此，該器件能讓 TL06x 和 TL03x 電路的帶寬加倍，或將 TL05x、TL07x 和 TL08x 電路的功耗降低近 90%。

BiFET 運算放大器提供的 JFET 輸入晶體管，其固有的輸入阻抗更高，然并不會降低與雙極放大器相關的輸出驅動。這些器件特性專為連接高阻抗傳感器或低電平交流信號而設計。此外，與具有類似功耗的雙極或 CMOS 器件相比，這些器件本身具有更好的交流響應。TLE206x 系列具有高輸出驅動電路，能夠在低至 ±5V 的電源電壓下驅動 100Ω 的負載。這使得它們特別適合驅動調制解調器中的變壓器負載以及其他需要良好交流特性、低功耗和高輸出驅動的應用中。

由于 BiFET 運算放大器設計用于雙電源，因此在采用單電源供電時必須注意觀察共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號的直流偏置，負載必須端接至 1/2 Vs 的虛擬接地節(jié)點。德州儀器 (TI) TLE2426 集成式虛擬接地發(fā)生器在通過單電源運行 BiFET 放大器時非常有用。

TLE206x 的額定工作電壓為 ±15V 和 ±5V。若要在低電壓或單電源系統中運行，建議使用德州儀器 (TI) LinCMOS 系列運算放大器（TLC- 和 TLV- 前綴）。從 BiFET 遷移到 CMOS 放大器時，應特別注意壓擺率、帶寬要求以及輸出負載。德州儀器 (TI) 的 TLV2432 和 TLV2442 CMOS 運算放大器是理想的選擇。
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類型 標題 下載最新的英語版本 日期
* 數據表 TLE206x、TLE206xA、TLE206xB Excalibur JFET-輸入高輸出驅動 μPower 運算放大器 數據表 (Rev. C) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 9月 23日

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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