ZHCSWQ7A June 2024 – December 2024 TDA4APE-Q1 , TDA4VPE-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 6-23 展示了建議的晶體電路。用于實(shí)現(xiàn)振蕩器電路的所有分立式元件應(yīng)盡可能靠近 WKUP_OSC0_XI 和 WKUP_OSC0_XO 引腳放置。
圖 6-23 WKUP_OSC0 晶體實(shí)現(xiàn)晶體必須處于基本工作模式并且并聯(lián)諧振。表 6-21 總結(jié)了所需的電氣約束。
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Fxtal | 晶體并聯(lián)諧振頻率 | 19.2、20、24、25、26、27 | MHz | ||||
| Fxtal | 晶體頻率穩(wěn)定性和容差 | 未使用以太網(wǎng) RGMII 和 RMII | ±100 | ppm | |||
| RGMII 和 RMII 使用衍生的時(shí)鐘 | ±50 | ||||||
| CL1+PCBXI | CL1 + CPCBXI 電容 | 12 | 24 | pF | |||
| CL2+PCBXO | CL2 + CPCBXO 電容 | 12 | 24 | pF | |||
| CL | 晶體負(fù)載電容 | 6 | 12 | pF | |||
| Cshunt | 晶體電路并聯(lián)電容 | 19.2MHz、 20MHz |
ESRxtal ≤ 30? | 7 | pF | ||
| 30? ≤ ESRxtal ≤ 80? | 5 | pF | |||||
| 80? ≤ ESRxtal ≤ 100? | 3 | pF | |||||
| 24MHz | ESRxtal ≤ 30? | 7 | pF | ||||
| 30? ≤ ESRxtal ≤ 60? | 5 | pF | |||||
| 60? ≤ ESRxtal ≤ 80? | 3 | pF | |||||
| 不支持:80? ≤ ESRxtal | – | ||||||
| 25MHz | ESRxtal ≤ 30? | 7 | pF | ||||
| 30? ≤ ESRxtal ≤ 50? | 5 | pF | |||||
| 50? ≤ ESRxtal ≤ 80? | 3 | pF | |||||
| 不支持:80? ≤ ESRxtal | – | ||||||
| 26MHz、 27MHz |
ESRxtal ≤ 30? | 7 | pF | ||||
| 30? ≤ ESRxtal ≤ 50? | 5 | pF | |||||
| 不支持:50? ≤ ESRxtal | – | ||||||
| ESRxtal | 晶體有效串聯(lián)電阻 | ?(1) | Ω | ||||
選擇晶體時(shí),系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須根據(jù)最壞情況和系統(tǒng)預(yù)期壽命來考慮溫度和老化特性。
表 6-22 詳細(xì)說明了振蕩器的開關(guān)特性和輸入時(shí)鐘的要求。
| 參數(shù) | 封裝 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CXI | XI 電容 | AND | 2.047 | pF | ||
| CXO | XO 電容 | AND | 1.972 | pF | ||
| CXIXO | XI 至 XO 互電容 | AND | 0.01 | pF | ||
| ts | 啟動(dòng)時(shí)間 | 9.5(1) | ms | |||
圖 6-24 WKUP_OSC0 啟動(dòng)時(shí)間