天天躁日日躁狠狠躁AV ,亚洲成人综合中文伊人

ZHCSTE6B October 2023 – October 2025 RES11A-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DDF|8

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.3.3 可預(yù)測電壓系數(shù)

RES11A-Q1 的電壓系數(shù)很大程度與自發(fā)熱有關(guān)，此時器件中的耗散功率會導(dǎo)致芯片溫度升高。如前所述，這種溫升的共性會導(dǎo)致每個電阻中發(fā)生相似的轉(zhuǎn)換，使得分壓器比率得以很好地保持。

通過在電阻器 R 兩端施加電壓 V，會造成相應(yīng)的功率耗散 P = V²/R，表現(xiàn)為器件芯片中的熱量。這些熱量會導(dǎo)致結(jié)溫局部增加，進而造成前面在溫度系數(shù)背景下討論過的相同參數(shù)轉(zhuǎn)換。TCR 指定為環(huán)境溫度的函數(shù)；因此，應(yīng)使用有效的結(jié)至環(huán)境熱阻來確定有效溫升，并計算標稱或預(yù)期轉(zhuǎn)換。

方程式 16.

R_{expected} = R_{initial} + \frac{{V_{R}}^{2}}{R} \times R_{θJA effective} \times {TCR}_{abs} \times R_{initial}

如果同時偏置兩個分壓器，則必須在使用結(jié)至環(huán)境熱阻計算相關(guān)的結(jié)溫升之前，將兩個分壓器的功率耗散相加。

下圖顯示了在各種電壓下所測試的一個 RES11A40-Q1 器件的數(shù)據(jù)集。

圖 7-7 R_IN 電阻與分壓器電壓間的關(guān)系

圖 7-8 R_G 電阻與分壓器電壓間的關(guān)系

R 預(yù)期值與 R 實際值之間的差異描述了 R 的實際值與預(yù)期值不匹配錯誤，這源自對電壓系數(shù)產(chǎn)生的非溫度相關(guān)影響。與對數(shù)放大器的對數(shù)一致性誤差或 ADC 的積分非線性誤差類似，該誤差描述了實際器件行為與可預(yù)測行為之間的偏差。雖然轉(zhuǎn)換的絕對幅度有所不同，但斜率或趨勢可以預(yù)測。請注意，測量噪聲和泄漏很容易增加測量誤差；請遵循最佳實踐，例如組裝后清潔和烘烤電路板，以更大限度地減少外部誤差并提高可重復(fù)性。

R 測量值的變化除以偏置電壓 V_R 的變化，即可計算電阻的有效電壓系數(shù)。例如，R_IN1 的電壓系數(shù)為 ΔR_IN1 除以 ΔV_RIN1。

方程式 17.

Voltage coefficient (?/V) = \frac{R_{final} - R_{initial}}{V_{R(final)} - V_{R(initial)}}

RES11A-Q1 電阻實際值和預(yù)期值失配與絕對電壓間的關(guān)系

圖 7-9 電阻實際值和預(yù)期值失配與絕對電壓間的關(guān)系

RES11A-Q1 電阻實際值和預(yù)期值失配與標稱分壓器電壓間的關(guān)系

圖 7-10 電阻實際值和預(yù)期值失配與標稱分壓器電壓間的關(guān)系

對每個 R_x、t_D1、t_D2 和 t_M 重復(fù)此操作，計算與每個參數(shù)相關(guān)的電壓系數(shù)。例如，RES11A-Q1 的典型絕對電壓系數(shù)約為 ±0.24?/V（R_IN 和 R_G 的電壓系數(shù)）。當從比例角度考慮時，t_D1 或 t_D2 的典型電壓系數(shù)為 ±0.4ppm/V，t_M 的電壓系數(shù)為 ±0.24ppm/V。