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ZHCS227H June 2011 – November 2024 LP2951-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

D|8
- MSOI002K
DRG|8
- MPDS151C

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DRG|8
- QFND128G

訂購(gòu)信息

7.2.2.2 前饋電容器

在 OUT 引腳和 FB 引腳之間連接前饋電容器 (C_FF)。C_FF 可改善瞬態(tài)、噪聲和 PSRR 性能?？梢允褂酶叩碾娙?C_FF；但是，啟動(dòng)時(shí)間會(huì)增加。有關(guān) C_FF 權(quán)衡的詳細(xì)說(shuō)明，請(qǐng)參閱使用前饋電容器和低壓降穩(wěn)壓器的優(yōu)缺點(diǎn) 應(yīng)用手冊(cè)。

如圖 7-3 所示，不良的布局做法以及在 FB 引腳上使用長(zhǎng)布線會(huì)導(dǎo)致形成寄生電容器 (C_FB)。

圖 7-3 在 FB 引腳上形成寄生電容器

C_FB 以及反饋電阻器 R₁ 和 R₂ 可能會(huì)導(dǎo)致在環(huán)路增益的傳遞函數(shù)中形成一個(gè)未補(bǔ)償?shù)臉O點(diǎn)。當(dāng) C_FB 值只有 6pF 時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致由方程式 8 給出的寄生極點(diǎn)頻率處于 LDO 帶寬范圍內(nèi)并導(dǎo)致不穩(wěn)定。

方程式 8.

f_{P} = \frac{1}{(2 \times π {\times C}_{F B} \times (R_{1} ∥ R_{2}))}

添加前饋電容器 (C_FF)，如圖 7-4 所示，會(huì)在環(huán)路增益?zhèn)鬟f函數(shù)中產(chǎn)生零點(diǎn)，以補(bǔ)償 C_FB 產(chǎn)生的寄生極點(diǎn)。方程式 9 和方程式 10 用于計(jì)算極點(diǎn)和零點(diǎn)頻率。

圖 7-4 前饋電容器可補(bǔ)償寄生電容器的影響

方程式 9.

f_{P} = \frac{1}{(2 \times π \times (R_{1} ∥ R_{2}) \times (C_{F F} + C_{F B}))}

方程式 10.

f_{Z} = \frac{1}{(2 \times π \times C_{F F} \times R_{1})}

要讓 f_P 等于 f_Z，同時(shí)極點(diǎn)消除，應(yīng)根據(jù) C_FB 的值以及應(yīng)用中使用的反饋電阻器確定 C_FF 值?；蛘撸绻x擇前饋電容器以使 C_FF ? C_FB，則方程式 9 和方程式 10 中極點(diǎn)頻率和零點(diǎn)頻率的關(guān)系如下：

方程式 11.

\frac{f_{p}}{f_{z}} ? (1 + \frac{R_{1}}{R_{2}}) = \frac{V_{O U T}}{V_{F B}}

在大多數(shù)應(yīng)用中，尤其是產(chǎn)生 3.3V 或 5V V_OUT的應(yīng)用中，該比率不是很大。這意味著頻率彼此接近，因而寄生極點(diǎn)會(huì)得到補(bǔ)償。即使 V_OUT 值較大（此比率高達(dá) 20），100pF ≤ C_FF ≤ 10nF 范圍內(nèi)的 C_FF 值通常也有助于防止反饋節(jié)點(diǎn)上的寄生電容器造成的不穩(wěn)定。