10.1 布局指南
- 在每個(gè)電源引腳和接地端之間連接低 ESR 0.1μF 陶瓷旁路電容器，放置位置盡量靠近器件。從 V+ 到接地端的單個(gè)旁路電容器適用于單電源 應(yīng)用。
- 對(duì)于單電源，應(yīng)在 V+ 和 V− 之間放置一個(gè)電容器。
- 對(duì)于雙電源，應(yīng)在 V+ 和電路板接地端之間放置一個(gè)電容器，并在接地端和 V− 之間放置另一個(gè)電容器。
- 噪聲可通過全部電路電源引腳以及運(yùn)算放大器自身傳入模擬電路。旁路電容器為局部模擬電路提供低阻抗電源，用于降低耦合噪聲。
- 將電路的模擬和數(shù)字部分單獨(dú)接地是最簡(jiǎn)單和最有效的噪聲抑制方法之一。多層 PCB 中通常將一層或多層專門作為接地層。接地平面有助于散熱和降低 EMI 噪聲拾取。確保對(duì)數(shù)字接地和模擬接地進(jìn)行物理隔離，同時(shí)應(yīng)注意接地電流。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱《電路板布局技巧》，SLOA089。
- 為降低寄生耦合，輸入跡線應(yīng)盡量遠(yuǎn)離電源或輸出跡線。如果這些跡線不能保持分離，那么使敏感跡線與有噪聲跡線垂直相交比保持平行要好很多。
- 將外部組件放置在盡可能靠近該器件的位置，使射頻和 RG 接近反相輸入可最大限度地減小寄生電容。
- 盡可能縮短輸入跡線。切記：輸入跡線是電路中最敏感的部分。
盡管采用具有固有抗電磁干擾 (EMI) 功能的 LMV83x，TI 仍建議縮短輸入跡線的長(zhǎng)度并使其盡量遠(yuǎn)離射頻源。這樣一來，進(jìn)入芯片的射頻信號(hào)就會(huì)盡可能低，而 LMV83x 的 EMI 減低功能幾乎可以完全 消除 剩余的 EMI。