ZHCSIB3I August 1999 – June 2016 LMV821-N , LMV822-N , LMV822-N-Q1 , LMV824-N , LMV824-N-Q1
PRODUCTION DATA.
輸入偏置電流 (IB) 可產(chǎn)生較大的失調(diào)電壓。此失調(diào)電壓主要?dú)w因于 IB 流經(jīng)負(fù)反饋電阻器 RF。例如,如果 IB 為 90nA(室溫下的最大值),而 RF 為 100kΩ,則會(huì)產(chǎn)生 9mV 的失調(diào)電壓 (VOS= IB x RF)。使用補(bǔ)償電阻器 (RC)(如Figure 38 所示)可以消除這種影響。但是,輸入失調(diào)電流 (IOS) 仍會(huì)以同樣的方式影響失調(diào)電壓 - 室溫下通常為 0.05mV。
Figure 38. 消除輸入偏置電流對(duì)失調(diào)電壓的影響