ZHCSOQ6A October 2017 – June 2022 LMT86-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DCK|5
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.4.3 電容負(fù)載
LMT86-Q1 能夠可靠處理容性負(fù)載。在嘈雜環(huán)境中，或在 ADC 上驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)采樣輸入時(shí)，可能需要添加濾波，以便充分減少噪聲耦合。在沒(méi)有任何預(yù)防措施的情況下，圖 8-1 展示了 LMT86-Q1 如何驅(qū)動(dòng)小于或等于 1100pF 的容性負(fù)載。對(duì)于超過(guò) 1100pF 的容性負(fù)載，圖 8-2 展示了如何在輸出端串聯(lián)電阻。
圖 8-1 無(wú)去耦 LMT86-Q1 適用于 1100pF 以下的容性負(fù)載
圖 8-2 帶串聯(lián)電阻的 LMT86-Q1 適用于超過(guò) 1100pF 的容性負(fù)載表 8-2 推薦串聯(lián)電阻值
| CLOAD | 最小 RS |
|---|---|
| 1.1nF 至 99nF | 3kΩ |
| 100nF 至 999nF | 1.5kΩ |
| 1μF | 800 Ω |