ZHCSRP9A June 2024 – September 2024 LMR36503E-Q1
PRODUCTION DATA
7.3.9 電流限值和短路
LMR36503E-Q1 通過高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制，在過流情況下受到保護。
高側(cè) MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現(xiàn)的。當高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值，或與內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側(cè)電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時，也會檢測和監(jiān)控流經(jīng)的電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件具有由內(nèi)部誤差放大器環(huán)路命令的關(guān)斷功能。對于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關(guān)周期，也會在電流超過此值時阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限值稱為低側(cè)電流限值 ILS-LIMIT（或在圖 7-13 中稱為 IL-LS）。如果超出低側(cè)電流限值，低側(cè) MOSFET 將保持導通狀態(tài)，高側(cè)開關(guān)不會導通。一旦低側(cè)電流降至此限值以下，低側(cè)開關(guān)就會關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導通后至少經(jīng)過一個時鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會再次導通。
圖 7-13 電流限值波形由于電流波形假定值介于 ISC（或在圖 7-13中為 IL-HS）和 ILS-HS 之間，因此除非占空比非常高，否則最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，電流紋波必須非常低以防止不穩(wěn)定。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 ILS-LIMIT。
圖 7-14 輸出電壓與輸出電流間的關(guān)系大多數(shù)情況下，電流限制為 IL-HS 和 IL-LS 的平均值，約為最大額定電流的 1.3 倍。如果輸入電壓較低，電流可限制在約為 IL-LS。另請注意，最大輸出電流不超過 IL-HS 和 IL-LS 的平均值。消除過載后，器件就會像在軟啟動中一樣恢復。
圖 7-15 短路波形
圖 7-16 過載輸出恢復