ZHCSHO1D November 2018 – January 2019 LMG1210
PRODUCTION DATA.
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。此部件還 具備 一個內(nèi)部 LDO，可確保 5V 的柵極驅(qū)動器電壓（而與電源電壓無關(guān)）。
為了在各種應(yīng)用中獲得 最佳性能，LMG1210 允許設(shè)計人員選擇最佳的自舉二極管對高側(cè)自舉電容器充電。當(dāng)?shù)蛡?cè)不導(dǎo)通時，內(nèi)部開關(guān)會關(guān)閉自舉二極管，以有效防止高側(cè)自舉過度充電，并將反向恢復(fù)電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF，以減少額外的開關(guān)損耗。
該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下，兩個補償輸出信號由單個輸入產(chǎn)生，用戶可將每個沿的死區(qū)時間從 0ns 調(diào)節(jié)為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內(nèi)運行，并采用低電感 WQFN 封裝。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| LMG1210 | WQFN (19) | 4.00mm × 3.00mm |