ZHCSG61B march 2017 – april 2023 LMG1205
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Detailed Description
- 8 Application and Implementation
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11Device and Documentation Support
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YFX|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
LMG1205 設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用同步降壓、升壓或半橋配置的高邊和低邊增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET。此器件具有一個(gè)集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管，還為高邊和低邊輸出分別提供了獨(dú)立的輸入，可實(shí)現(xiàn)最大程度的靈活控制。高邊偏置電壓采用自舉技術(shù)生成，內(nèi)部鉗位為 5V，可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LMG1205 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，都能夠承受高達(dá) 14V 的輸入電壓。LMG1205 具有分離柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
此外，LMG1205 具有強(qiáng)勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LMG1205 的工作頻率可高達(dá)數(shù) MHz。LMG1205 采用 12 引腳 DSBGA 封裝，具有緊湊的外形尺寸和超小的封裝電感。
器件信息(1)
| 器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| LMG1205 | DSBGA (12) | 2.00mm x 2.00mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
簡(jiǎn)化版應(yīng)用示意圖